天津大学2022研究生论文
3年。天津大学目前几乎所有专业的研究生都是三年制，只有极个别的专业是两年制或两年半制。另外，有部分非全日制硕士或独立招生的硕士是两年。硕士的第一年类似于本科阶段，通常是上课考试修学分，第二年开始进行研究工作，第三年发表论文，准备毕业答辩，然后找工作。
2022年8月7日上交。经审核，现将天津大学微电子学院2022年工程博士资格审核初审合格名单进行公示，公示期为10个工作日。
天津大学研究生学位论文
参照国家学位条例的规定 学位分为学士、硕士、博士三级。 另外，硕士中有专业型硕士还有学术性硕士两种。 学位还可以分为理学、工学等按照专业类别分的学位类别
2018年6月21日，天津大学建筑工程学院发出通报，撤销抄袭论文的2008届建筑与土木工程专业在职研究生李瑞锋硕士学位。
通报称：
近期，学院接到电话举报，反映我院2008届在职研究生李瑞锋硕士学位论文涉嫌抄袭。学院对此事高度重视，成立了调查小组对情况进行核实认定，经调查李瑞锋硕士学位论文抄袭情况属实。
依据《天津大学研究生学术规范》，天津大学学位评定委员会第八分委会于2018年6月12日召开第103次会议，会上讨论了李瑞锋硕士学位论文抄袭情况和处理意见，一致通过撤销李瑞锋原授予学位、追回李瑞锋已授予工程硕士学位证书的决定，并已报请学校学位评定委员会批准。
近日，有网友称，天津大学一篇硕士学位论文涉嫌大面积抄袭内蒙古农业大学的一篇硕士学位论文。
这两篇论文分别是天津大学建筑工程学院建筑与土木工程2008届硕士毕业生李瑞锋的硕士学位论文《BP神经网络在现场混凝土强度预测中的应用研究》（以下简称“李瑞锋论文”）与内蒙古农业大学农业水土工程2005届硕士毕业生武欣慧的硕士学位论文《基于人工神经网络的普通混凝土强度预测的研究》（以下简称“武欣慧论文”）。
武欣慧论文完成于2005年5月，李瑞锋论文的完成时间是2008年5月，从时间上看，李瑞锋论文比武欣慧论文完成时间晚了3年。
澎湃新闻记者从中国知网上下载了上述两篇论文，仔细比对后发现，两篇论文从目录到正文内容都高度雷同，74条参考文献从书名、出版时间到引用的页码都毫无差别。
值得注意的是，李瑞锋论文在“致谢”部分还特别感谢了彼时已成为内蒙古农业大学副教授的武欣慧。
针对李瑞锋论文涉嫌抄袭武欣慧论文并致谢武欣慧一事，近日，澎湃新闻联系到武欣慧了解求证。目前在内蒙古农业大学林学院任教的武欣慧告诉澎湃新闻，她完全不认识李瑞锋，自己的硕士学位论文系原创，对是否被他人抄袭情况并不知情。
比对两篇论文后发现，两篇论文的题目虽然不完全相同，但都以神经网络对混凝土强度的预测应用为研究对象。
两篇论文的中文摘要部分极度相似。武欣慧论文的中文摘要分为两个自然段，具体内容为：
“抗压强度是混凝土最重要的性能之一，是混凝土质量控制的核心内容，同时也是结构设计和施工的重要依据。规范规定评定结构构件的混凝土强度需标准养护28天才能获得，不能满足现代化施工的时间要求，同时又可能留下隐患。因此，发展混凝土强度早期快速测定技术，提高预测精度具有重大意义。
“借鉴国内外有关混凝土强度预测的研究成果，结合人工神经网络基本原理，运用MATLAB神经网络工具箱，就网络的输入向量、网络结构、传递函数及其它参数的选择展开研究。在此基础上，选择内蒙古中西部地区三座野外变电站制作大量同条件养护标准试件，作为网络模型的训练样本和测试样本，分别运用基本BP算法、附加动量因子的自适应调整学习率算法和L—M算法三种方法训练网络，经大量试算和仿真结果比对，最终利用L—M算法建立网络结构合理、收敛速度快、精度高的满足工程要求的普通混凝土强度预测模型，与多元线性回归模型预测结果相比，BP网络模型有更高的精度，将预测误差控制在3%以内，可以极大程度上避免目前混凝土施工中存在的强度预测偏差较大的问题。”
的用电，同时能提高供电电压质量以及供电可靠性。乌拉特前旗气象局提供的30年（1971至2000）气象资料气温统计结果见表4。在本研究中，87组样本取自于本站1#、2#、3#主变压器基础及电缆沟。”
天津工业大学报录比2022
天津工业大学法硕非法学报录比答案如下:天津工业大学法硕非法学报录比是爱困鲲之大和发布之比，第二步是需要我某有的样子货款的意思。
天津工业大学管科报录比是4：1。根据查询相关公开信息，2022年天津工业大学管科统计，专业报录比为4：1。天津工业大学简称天工大，是天津市重点建设的全日制普通高等学校，是教育部与天津市共建高校、国家国防科技工业局和天津市人民政府共建高校、世界一流学科建设高校、天津市高水平特色大学建设高校，入选教育部卓越工程师教育培养计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、全国深化创新创业教育改革示范高校、高等学校学科创新引智计划、教育部首批新工科研究与实践项目，是国家大学生文化素质教育基地。学校总占地面积约195万平方米，总建筑面积86万平方米。有24个学院、65个本科专业。拥有3个博士后流动站、5个一级学科博士点，27个一级学科硕士点和11个专业硕士学位类别。有专任教师1600余名，在校本科生22000余人，全日制硕士生5100余人，博士生500余人，各类留学生2050余人。
天津工业大学法硕非法学报录比是比1。根据查询相关公开信息资料显示，天津工业大学2022年法硕非法学招生报名人数：10887人，录取人数：1963人，报录比为。天津工业大学位于天津市，是教育部与天津市共建高校、国家国防科技工业局和天津市共建的天津市重点建设高校、国家“双一流”建设高校、天津市高水平特色大学建设高校。
天津工业大学是一所公办全日制本科高校，是国家“双一流”建设高校，学院创建于1912年，是我国最早开展纺织高等教育的学府之一，下面是为大家整理的“天津工业大学2022年普通本科招生章程”此文本仅供参考，欢迎阅读。
天津工业大学2022年普通本科招生章程
第一章 总则
第一条 根据《中华人民共和国教育法》、《中华人民共和国高等教育法》、《教育部关于做好2022年普通高校招生工作的通知》（教学[2022]1号）及招生考试工作其他相关文件，为了规范招生工作和维护考生合法权益，结合我校招生工作实际，制定本章程。
第二条 本章程是我校向社会公布有关招生政策、规定及相关信息的最主要形式，是我校开展招生工作和录取新生最重要的依据。
第三条 本章程经天津市教育委员会审核后，通过学校招生网以及教育部“阳光高考”招生信息平台向社会公布，内容涵盖所有生源省（区、市）。
第四条 学校性质及概况
学校全称：天津工业大学
学校代码：10058
办学性质：公办全日制普通高等学校
办学层次：博士、硕士、本科
学校地址： 天津市西青区宾水西道399号
学校概况：
天津工业大学是教育部与天津市共建、天津市重点建设的全日制普通高等学校，是国家“双一流”建设高校。学校办学历史悠久，始建于1912年，2000年更名为天津工业大学， 2018年获批国防科工局与天津市共建高校，是我国最早开展纺织高等教育的学府之一，现已发展成为一所以工为主，工、理、文、管、经、法、艺、医协调发展的多科性综合大学。
学校总占地面积约195万平方米，总建筑面积86万平方米。学校下设5个学部、24个学院、1个书院、2家附属医院，现有在校本科生22000余人， 全日制硕士生报录比超过5：1，学术学位博士生全脱产率100%。
学校在习近平新时代中国特色社会主义思想指引下，全面贯彻党的教育方针，坚持社会主义办学方向，落实立德树人根本任务，秉承“教研相长、学能并进”的办学理念，光大“严谨、严格、求实、求是”的学校品格，弘扬“爱校尚德、励学笃行、求实创新”的学校精神，聚焦“一带一路”、京津冀协同发展等国家战略，坚持为党育人、为国育才，深化改革创新，努力建设具有世界一流学科的高水平大学。
第二章 招生组织机构与监督机制
第五条 我校招生工作组织机构由本科招生工作领导小组、本科招生委员会、本科招生办公室三级机构组成。本科招生工作领导小组是招生工作的最高决策机构，负责研究制定学校招生政策，领导、监督招生工作的具体实施，协调、处理有关招生工作的重大事宜；本科招生委员会吸纳教师、学生及校友代表参加，对招生简章、招生计划、招生方案、录取原则等提供咨询意见和建议，对我校招生录取工作进行监督；本科招生办公室为组织和实施招生工作的常设机构，负责学校招生的日常工作。
第六条 我校招生工作在学校纪检部门监督下进行，同时接受社会监督。
第三章 招生计划
第七条 我校根据发展规划、办学条件、学科要求、生源状况和社会需求制定2022年面向31个省（区、市）的分专业招生计划。
第八条 经教育部核准下达的具体招生专业、招生计划数，按照规定时间报送到各省（区、市）普通高校招生主管部门，具体分省分专业招生计划以各省（区、市）普通高校招生主管部门公布的为准。
第九条 我校本科预留计划不超过本科总计划的1%，用于调节各地统考上线生源的不平衡。在录取过程中，坚持集体决议，公开透明原则，根据各省（区、市）的报考生源状况，适当使用。
第四章 录取原则
第十条 我校招生录取工作遵循公平竞争、公正选拔、公开程序等原则，执行教育部和省（区、市）招生委员会制定的录取政策，并结合我校招生工作实际情况和本章程的有关规定，以考生填报的志愿和高考文化成绩为主要依据，实行德智体美劳全面考核，择优录取。
第十一条 我校根据在各省（区、市）的招生计划和考生报考情况，确定调档比例。实行平行志愿的省（区、市），调档比例一般不超过招生计划的105%；未实施平行志愿的省（区、市），调档比例一般不超过招生计划的120%；录取时，我校将根据各省（区、市）生源状况和预留计划情况适量调整招生计划。
高考录取实行平行志愿投档的省（区、市），执行所在省（区、市）相关政策。未实施平行志愿的省（区、市），学校录取遵循志愿优先原则，优先录取第一志愿报考我校的考生，当各省（区、市）公布的同批次最低控制线上第一志愿报考我校的人数少于招生计划数时，录取第二志愿报考我校的考生，并以此类推。
第十二条 对政策加分以及同等条件下优先录取的原则，按照教育部《2022年普通高等学校招生工作规定》执行。我校普通类专业录取在提档及安排专业时认可教育部和各省（区、市）教育招生主管部门审定的全国性政策加分，艺术类专业录取按我校艺术类招生简章公布的录取原则执行。
第十三条 专业录取原则
专业录取按“分数优先、遵循志愿、专业志愿不设分数级差”原则，即对同一投档单位的进档考生，先按投档成绩从高分到低分排队，并按排队顺序，从高分到低分依次按照考生填报的专业志愿顺序录取。
在非高考改革省（区、市），当同一投档单位、同一专业（不包括艺术类）考生的投档成绩相同时，按专业志愿顺序排序录取；如专业志愿顺序相同，再根据不同科类：理工类考生依次比较数学、语文、理科综合成绩进行录取；文史类考生依次比较语文、数学、文科综合成绩进行专业录取。
对于实施高考综合改革的北京、天津、河北等省（区、市）的招生录取工作，录取时按照各省（区、市）公布的改革方案及有关办法执行；高考综合改革省（区、市）的考生须满足我校选考科目要求；投档成绩相同时，按各省（区、市）确定的同分排序规则进行专业录取。
考生在填所报专业志愿均未满足情况下，对服从专业调剂者，调到同一投档单位未录满专业；对不服从专业调剂者，作退档处理。
第十四条 对高考录取有特殊规定的省（区、市），其录取原则做如下说明：
根据内蒙古自治区规定，在内蒙古自治区招生实行“招生计划1：1范围内按专业志愿排队录取”的录取规则。
第十五条 软件工程专业以及中外合作办学专业只录取有专业志愿的考生（不包括服从志愿）。
第十六条 我校艺术类专业录取，按照教育部和各省（区、市）相关规定以及《天津工业大学2022年艺术类专业招生简章》公布的录取原则执行。
第十七条 考生的身体健康要求，依据教育部、原卫生部和中国残疾人联合会印发的《普通高等学校招生体检工作指导意见》和人力资源社会保障部、教育部、原卫生部《关于进一步规范入学和就业体检项目维护乙肝表面抗原携带者入学和就业权利的通知》执行。
第十八条 内地新疆班、少数民族预科班招生工作按教育部和学校有关规定执行。
第十九条 我校英语专业要求英语语种考生；非英语、日语专业的公共外语课程均为英语，其他专业不具备非英语语种开设条件，请非英语语种的考生谨慎填报。
第二十条 我校在各省（区、市）录取批次以当地考试院公布的为准。
第二十一条 我校实施学分制收费。学费标准遵照《市发展改革市财政局市教委关于天津工业大学实行学分制收费的通知》（津发改价费[2019]541号）执行，学生按学校培养计划正常完成学业（不含辅修、重修学分学费）所缴纳的学分学费和专业学费之和不高于按学年制收费的学费总额。
中外合作办学专业仍执行学年制收费。中外合作办学专业：与澳大利亚伍伦贡大学合作的电气工程及其自动化专业和通信工程专业学费22000元/生·年，与美国博林格林州立大学合作的信息管理与信息系统（商务分析与智能管理）专业学费24000元/生·年。
住宿费1200元/生·年。
收费标准如有调整，以天津市价格主管部门批准的收费标准执行。
第五章 录取与入学
第二十二条 被我校录取的考生，经各省（区、市）招生主管部门批准后，由本科招生办公室向考生发放录取通知书。
第二十三条 按国家招生规定录取的新生，持录取通知书及本人身份证，按我校有关要求和规定的期限到校办理入学手续。因故不能按期入学的，应当向学校请假。未请假或者请假逾期的，除因不可抗力等正当事由以外，视为放弃入学资格。
应征入伍新生应在规定时间持我校录取通知书、本人身份证，以及在入伍地县（市、区）人民政府征兵办公室领取的《应征入伍普通高等学校录取新生保留入学资格申请表》到学校本科招生办公室申请保留入学资格。
我校在报到时对新生入学资格进行审查，审查合格的办理入学手续，予以注册学籍；复查中发现学生存在弄虚作假、徇私舞弊等情形的，确定为复查不合格，取消学籍。
第二十四条 新生入学后，我校将依据《天津工业大学本科生学籍管理规定》等规章制度进行管理，按照专业教学计划对学生进行培养，修满规定学分且成绩合格者准予毕业（提前修满学分者，可提前毕业），并颁发天津工业大学全日制普通高等学校毕业证书，依据《天津工业大学学士学位授予工作实施细则》，对符合授予条件的毕业生，授予学士学位，颁发学位证书。
第六章 奖学金与家庭经济困难学生资助措施
第二十五条 我校本科生奖学金包括政府奖学金、校级奖学金、社会奖学金等。
第二十六条 我校建立了以家庭经济困难学生资格认定为基础，以奖、助、贷、勤、补、减、偿多种措施有机结合的家庭经济困难学生资助政策体系，根据学生家庭经济困难程度的不同给予不同程度的资助。
第七章 招生咨询 录取信息查询方式 监督电话
第二十七条 招生咨询及录取信息查询通过以下方式：
学校网址： ；
本科招生网地址： ；
招生咨询电话：；
招生办公室邮箱：zhaosheng@ 。
第二十八条 学校地址： 天津市西青区宾水西道399号，邮编：300387。
第二十九条 我校招生录取信息通过天津工业大学本科招生网公布。学校不委托任何中介机构或个人进行招生录取工作，不收取国家规定外的任何费用。
第三十条 在招生咨询过程中，我校咨询人员的意见、建议仅作为考生填报志愿的参考，不属学校录取承诺。
第三十一条 监督电话：。
第八章 附则
第三十二条 我校在高考综合改革省（区、市）的招生专业对考试科目要求以及综合素质评价使用，以当地教育招生考试部门及我校官方网站公布为准。
第三十三条 本章程仅适用于我校2022年度本科层次招生，本章程公布后，如遇国家或部分省（区、市）高考招生政策调整，我校将制定相应的录取政策并另行公布。
第三十四条 本章程自发布之日起开始执行。学校以往有关招生工作的政策、规定与本章程不一致的，一律废止，均以本章程公布的为准。
第三十五条 本章程由天津工业大学本科招生办公室负责解释。
天津大学研究生论文格式
本科毕业设计（论文）文献综述院 （系）：专 业：班 级：学生姓名： 学 号:年 月 日本科生毕业设计（论文）文献综述评价表毕业设计（论文）题目综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等）评阅教师姓名 职称评 价 项 目 优 良 合格 不合格综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果03 文字通顺、精练、可读性和实用性强04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献成绩综合评语：评阅教师（签字）：年 月 日文献综述： 小四号宋空一行标题 二号黑居中空一行1 XXX 三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXXX 小三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXX 四号黑XXX 小四号宋，行距20磅空一行2 XXXX 三号黑(空1行)参 考 文 献(空1行)[要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：][1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅）[2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31．下面的是我的文献综述文献综述:FTO透明导电薄膜的溅射法制备1 前言为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。2透明导电玻璃的种类及制备方法简介透明导电玻璃的种类 .1 TCO导电玻璃TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件.主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。 ITO透明导电玻璃ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。透明导电玻璃FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大. FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。透明导电玻璃制备方法FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。磁控溅射法镀膜：溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。真空蒸发镀膜：真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。化学气相沉积法：化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。喷雾热分解法：喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势透明导电玻璃的研究现状自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到Ω/口，可见光透光率为％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。射频溅射：射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为— Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长， nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。透明导电玻璃的应用FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。在薄膜太阳电池上的应用太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。在显示器上的应用显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。在气敏元件上的应用气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。 FTO透明导电玻璃的发展趋势随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件：(1)导电性能好，电阻率较低；(2)可见光内透光率较高：(3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜；(4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀；(5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高；(6)表面形状良好，没有针孔；(7)价格较低，可实现大规模工业化生产。目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。4 制备条件对膜结构及光电性能的影响长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了——的结论。制备条件对膜厚的影响文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。制备条件对膜结构的影响晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。制备条件对膜光电性质的影响在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。 退火对薄膜的影响退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］5 退火后处理对膜结构与成分的影响光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］6 FTO导电玻璃制备相关参数根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。7 参考文献1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学2、汪振东， 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877．8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et a1．Effect of fluorine doping on highly transparent conductive spray deposited nanocrystalline tin oxide thin films[J]．Applied Surface Science，2009，255(23)：9358—9364．9、Dai S，Wang K，Weng J，et a1．Design of DSC panel with efficiency more than 6％[J1．Solar Energy Materials and Solar Ceils，2005，85(3)：447—455．10、Huo Z，Dai S，Wang K，et a1．Nanocomposite gel electrolyte with large enhanced charge transport properties of an 13-／I- redox couple for quasi-solid-state dye-sensitized solar cells[J]．Solar Energy Materials and Solar Cells，2007，91(20)：1959-1965．11、王璟和，射频溅射法制备透明导电陶瓷薄膜 天津大学12、姜磊等， 染料敏化太阳电池研究进展 内蒙古大学学报（自然科学版）13、曾志峰等， 射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究 武汉大学学报（理学版）14、段理、樊小勇等， 磁控溅射制备银掺杂 薄膜结构及光电性质研究 材料导报(研究篇)15、SunLL，TanO K，ZhuW G，et a1．Pb(Zro 3Ti0． 7)03／Pb-TiO3 multilayer thin films for pyroelectric infrared sensorapplication[J]．J Appl Phys，2006，99(9)：0941016、顾锦华、钟志有等， 真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响 中南民族大学学报(自然科学版)17、王磊、杜军等， 退火气氛对SnO2薄膜结构与成分的影响 材料导报18、范志新等， 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式 电子器件19、刘庆业等， 射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 广西师范大学学报（自然科学版）
文献综述是对某一方面的专题搜集大量情报资料后经综合分析而写成的一种学术论文， 它是科学文献的一种。 格式与写法 文献综述的格式与一般研究性论文的格式有所不同。这是因为研究性的论文注重研究的方法和结果，特别是阳性结果，而文献综述要求向读者介绍与主题有关的详细资料、动态、进展、展望以及对以上方面的评述。因此文献综述的格式相对多样，但总的来说，一般都包含以下四部分：即前言、主题、总结和参考文献。撰写文献综述时可按这四部分拟写提纲，在根据提纲进行撰写工。 前言部分，主要是说明写作的目的，介绍有关的概念及定义以及综述的范围，扼要说明有关主题的现状或争论焦点，使读者对全文要叙述的问题有一个初步的轮廓。 主题部分，是综述的主体，其写法多样，没有固定的格式。可按年代顺序综述，也可按不同的问题进行综述，还可按不同的观点进行比较综述，不管用那一种格式综述，都要将所搜集到的文献资料归纳、整理及分析比较，阐明有关主题的历史背景、现状和发展方向，以及对这些问题的评述，主题部分应特别注意代表性强、具有科学性和创造性的文献引用和评述。 总结部分，与研究性论文的小结有些类似，将全文主题进行扼要总结，对所综述的主题有研究的作者，最好能提出自己的见解。 参考文献虽然放在文末，但却是文献综述的重要组成部分。因为它不仅表示对被引用文献作者的尊重及引用文献的依据，而且为读者深入探讨有关问题提供了文献查找线索。因此，应认真对待。参考文献的编排应条目清楚，查找方便，内容准确无误。关于参考文献的使用方法，录著项目及格式与研究论文相同，不再重复。
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