集成电路论文发表刊物

您好，中国集成电路期刊是一本专注于集成电路领域的期刊，它涵盖了集成电路设计、制造、测试、应用等方面的研究成果，把国内外最新的集成电路技术发展动态及时反映出来，为国内外集成电路研究人员提供了一个交流的平台。因此，中国集成电路期刊是一本很好的投稿期刊，可以发表您的研究成果，并得到国内外专家的评论和认可。

为加强产学研合作和国际交流，2011年，成立了重庆国际半导体学院。学院还与中国科学院、中国电子科技集团、四联集团、重庆渝德科技公司、西南集成电路设计公司、重庆神州龙芯科技公司等知名科研院所和企业开展了广泛的合作和交流，建立了人才培养、科学研究和学生实习实训基地。基于这样的教育理念，学院建设了数门各级精品课程和重点课程。积极推动教学改革，强化素质教育，各级各类的教改项目总数达到20项。重视学生实践教学环节的锻炼培养，狠抓实习基地建设。学院现有专业实验中心实验教学单位，还有中央与地方共建的光信息技术实验室、微电子技术实验室、集成电路设计实验室和射频技术实验室；此外，还先后与重庆普天通信设备有限公司、西南集成电路设计有限责任公司、重庆航伟光电科技有限公司、重庆万道光电科技有限公司等多家单位联合建立了学生实习基地。科研项目2007年至2012年，先后承担省部级以上项目66项，科研项目经费累计愈4039万元。截至2012年，主要承担的国家及国务院各部门项目序号项目名称项目来源立项时间主要完成人 1. 基于拓扑马蹄的低维混沌不变集的研究国家自然科学基金项目 2009-01 李清都 2. 光脉冲驱动与全光纤检测的哥氏振动微陀螺关键技术研究国家自然科学基金项目 2011-08 刘宇 3. 基于正Davio判决图的可逆逻辑综合理论及其实现方法的研究国家自然科学基金项目 2011-08 庞宇 4. 不对称体模回旋管高效准光模式变换的理论及关键技术研究国家自然科学基金项目 2011-08 王斌 5. 基于异构计算的混合系统混沌判定及其转变研究国家自然科学基金项目 2011-08 李清都 6. 基于分形的MEMS动态测量理论及方法研究国家自然科学基金项目 2010-12 罗元 7. 基于温度效应的光学薄膜吸收高分辨率成像技术研究国家自然科学基金项目 2010-01 郝宏刚 8. 混合系统的若干动力学问题研究国家自然科学基金项目 2010-01 李清都 9. 国家物联网发展专项资金项目——面向医疗物联网应用的RFID和BAN共性关键技术研发国务院各部门项目 2011-07 林金朝 10. 智能康复系统中混合Camshift和Kalman滤波的单目视频跟踪算法研究国务院各部门项目 2010-09 罗元 11. 血液净化设备远程监控系统研发国务院各部门项目 2009-09 林金朝 12. DAB数字多媒体广播接收机核心模块开发和生产国务院各部门项目 2009-07 王国裕 13. 国家科技重大专项——TD-SCDMA增强型多媒体手机终端的研发和产业化国务院各部门项目 2009-05 申敏 14. 国家支撑计划——LTE TDD终端基带科研样片研究开发国务院各部门项目 2009-01 申敏 15. 国家科技重大专项——TD-SCDMA增强型多媒体终端基带芯片的研发和产业化国务院各部门项目 2009-01 申敏 16. 国家火炬计划——TD－SCDMA(LCR)手机基带芯片和无线模块国务院各部门项目 2006-09 申敏 17. 国家863计划——TD-SCDMA终端射频芯片开发国务院各部门项目 2005-07 陈明专利发明序号专利名称发明人授权时间 1. 异构多机器人系统的任务分配方法罗元(2) 2011-07 2. 一种产生多环绕线卷波的混沌电路及实现方法罗小华(1) 2011-02 3. 基于微石英角速率传感器的随钻方位测量误差补偿方法刘宇(1) 2010-09 4. 仿生机器鱼无半径转弯的控制方法罗元(2) 2010-07 5. Means for implementing a DAB receiver channel decoder 陆明莹(1) 2010-04 6. LED通用驱动电路吴贵能(1) 2010-03 7. HARQ技术数据缓存的设计方法及其电路毕敏(1) 2009-12 8. 一种下行同步导频时隙的搜索方法申敏(2) 2009-12 9. 一种基于信息融合到无线定位多算法增强方法罗元(2) 2009-11 10. HSDPA中16QAM定点解调方法王茜竹(1) 2009-09 11. 一种用户终端小区初始搜索中实现码片级精确同步的方法谭舒(1) 2009-08 12. TD－SCDMA系统中小区初始搜索时的精准接入方法沈静(1) 2009-06 13. 一种复位值可控的数字电路设计方法杨小勇(1) 2009-06 14. 一种降低大规模集成电路漏电功耗的设计方法杨小勇(2) 2009-04 15. 移动通信系统中估计移动终端用户数的方法申敏(1) 2008-05 16. 一种手机基带芯片的省电同步方法杨小勇(1) 2007-10 17. 一种基于TD-SCDMA无线定位来波方向的估计方法罗元(3) 2006-10 科技奖励1. “血液净化系统监测与控制系列关键技术及整机设备”，林金朝（2），国家科技进步奖，二等奖，2012-022. “超大规模集成电路刻蚀工艺控制关键技术研究”，王巍、罗元等，重庆市科技进步奖，三等奖，2011-053. “振动角速率传感器研制及在无线随钻导向定位中的应用”，刘宇，重庆市科技进步奖，三等奖，2011-054. “血液净化系统系列监控技术及整机设备”，林金朝（2），重庆市科技进步奖，二等奖，2010-055. “短距离无线通信技术与应用”，林金朝，重庆市科技进步奖，二等奖，2009-036. “非线性系统复杂行为分析与控制”，李清都，重庆市自然科学奖，三等奖，2009-037. “TD-SCDMA终端核心芯片平台关键技术及应用”，申敏（2），国家技术发明奖，二等奖，2008-128. “数字多媒体广播DMB接收机和基带芯片”，陆明莹、王国裕、张红升等，重庆市科技进步奖，三等奖，2008-039. “TD-SCDMA手机关键技术的研究与实现”，申敏（2），重庆市技术发明奖，一等奖，2007-0310. “硅基MEMS设计与加工技术研究”，潘武（2），重庆市科技进步奖，二等奖，2007-0311. “智能系统分析与控制中的关键问题研究”，李清都（6），重庆市自然科学奖，二等奖，2007-0312. “暗能量的研究”，龚云贵、段昌奎等，重庆市自然科学奖，二等奖，2006-0313. “通信系统中光WDM与光传输机理的研究”，毛幼菊、党明瑞等，重庆市自然科学奖，三等奖，2005-0314. “混沌控制及其在通信理论中的应用”，杨晓松、周平、李清都等，重庆市自然科学奖，三等奖，2004-0315. “通信－广播电视共网传输实用技术的研究”，毛幼菊等，重庆市科学技术奖，一等奖，2002-03 教材专著专著序号专著名称作者出版社名称出版时间 1. MIMO技术原理与应用林云(1) 人民邮电出版社 2010-11 2. 固态振动陀螺与导航技术刘宇(1) 中国宇航出版社 2010-09 3. 半导体器件完全指南李秋俊(1) 科学出版社 2009-07 4. 移动机器人技术及其应用罗元(2) 电子工业出版社 2007-09 5. 混沌系统与混沌电路李清都(2) 科学出版社 2007-08 6. 计算机网络中的拥塞控制与流量控制徐昌彪(1) 人民邮电出版社 2007-01 7. 蓝牙协议及其源代码分析林金朝(2) 国防工业出版社 2006-09 教材序号教材名称排名出版社出版时间 1. 数字电路与逻辑设计习题指导邹虹(1) 人民邮电出版社 2010-09 2. 光纤通信系统与网络张德民(2) 电子工业出版社 2010-08 3. 射频通信电路林云(1) 华中科技大学出版社 2009-08 4. 数字信号处理张德民(2) 高等教育出版社 2009-02 5. AutoCAD 2008中文版机械制图实用教程王巍(2) 清华大学出版社 2008-08 6. 数字电路与逻辑设计邹虹(1) 人民邮电出版社 2008-03 7. 信号与系统何丰(2) 科学出版社 2008-02 8. 信号与系统分析张德民(1) 高等教育出版社 2006-09 9. 现代通信系统与信息网张德民(2) 高等教育出版社 2005-08 10. 通信光缆与电缆工程张德民(2) 人民邮电出版社 2005-02 11. 电信传输原理张德民(3) 电子工业出版社 2004-08 12. 现代通信系统张德民(2) 西安电子科技大学出版社 2003-02 集成电路设计与集成系统（本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招收类别：理工类）培养目标：本专业以集成电路及各类电子信息系统设计能力为目标，培养掌握集成电路基本理论、集成电路设计基本方法，掌握集成电路设计的EDA工具，熟悉电路、计算机、信号处理、通信等相关系统知识，可从事集成电路及各类电子信息系统的研究、设计、教学、开发及应用，具有一定创新能力的高层次应用型技术人才。主要课程：半导体器件物理、微电子器件、模拟与数字集成电路设计原理、数字集成电路设计技术及应用、现代通信系统、通信集成电路设计、数模混合集成电路设计、数字信号处理FPGA设计导论、片上系统设计、数字系统仿真与验证等。专业优势和特色：专业方向选择性大，从业口径宽；高水平科研项目为基础的专业实践和创新平台；依托省级重点学科、重庆市微电子工程重点实验室、中央与地方共建的微电子工程中心，与集成电路设计企业合作共建校外实践实习基地；毕业去向：可从事数字集成电路系统设计与开发、片上系统（SoC）、嵌入式系统、计算机控制技术、通信、消费类电子等信息技术领域的研究、教学、科研开发、生产管理和行政管理工作。电子信息科学与技术（本科，标准学制四年，授予理学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养同时具备电子技术、信息技术、计算机技术及通信技术领域内宽广理论基础、实践能力和专业知识的，能在包括信息的产生、获取、存储、处理、传输、控制、显示等技术为主体的各类通信与电子信息系统从事相应研究、设计、教学、开发、应用、生产管理等方面工作，且在信息理论与信息系统、信号与信息处理及片上系统（SoC）设计、无线与移动通信技术等方向形成鲜明特色的高级科学与技术人才。主要课程：电路与电子技术、计算机技术系列课程、信号与系统、通信原理、信息理论与编码、数字信号处理、DSP原理及应用，单片机原理及应用、可编程逻辑器件与硬件描述语言、片上系统（SoC）设计、模拟及数字系统设计、传感器与检测技术、无线通信原理、移动通信技术等。专业优势和特色：（1）方向选择性大，从业口径宽。同时具备电子技术、信息技术、计算机技术及通信技术知识。（2）师资力量雄厚。有国内外知名学者及省部级优秀教学团队，有中央地方共建实验室、电工电子“省部级示范实验中心”等基础和专业实践教学平台。（3）沿袭我校信息学科优势，在信息理论与信息系统、信号与信息处理及片上系统（SoC）设计、无线与移动通信技术等方向上特色鲜明。（4）与全国电子信息类高科技企业有良好合作关系。就业去向：电信设备制造商、通信运营商及广播电视、遥控与遥测、雷达、声纳、电子对抗、测量、控制、导航、航空航天等领域相关企业，从事通信与电子信息系统相关研究、设计、开发、应用、生产管理等方面工作，同时也可在电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。微电子科学与工程（本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招收类别：理工类）培养目标：培养适应国内外行业发展，具有国际视野，掌握扎实的理论基础，具备良好半导体器件分析能力，在集成电路制造工艺、封装测试和模拟集成电路设计方面具有创新精神和综合竞争力的高素质复合人才。主要课程：半导体器件物理、微电子器件、模拟集成电路设计、射频集成电路设计、现代电子材料与元器件、现代半导体工艺、半导体封装与测试技术等。专业优势和特色：（1）国家级特色专业，师资力量雄厚。（2）拥有省部级重点实验室，省部级教学实验示范中心，与多个知名半导体企业共建校外实训基地。（3）采用全新的“国际半导体学院人才培养模式”，经验成熟。就业去向：能在国内外半导体相关企业及科研院所从事半导体工艺研究、模拟集成电路设计、电子产品设计及半导体设备维护等方面的工作。电磁场与无线技术（本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养基础理论扎实、知识面宽，实践能力强，能够在无线传播环境分析和电磁兼容领域从事科学研究、产品研发、技术服务和管理工作的“研究开发型”和“工程应用型”技术人才。主要课程：数理基础、电路与电子、计算机基础与应用以及通信课程等系列课程，电磁场与电磁波技术、无线传播分析以及电磁兼容技术系列课程等。专业优势和特色：（1）国家特设专业，依托电子科学与技术省级重点学科。（2）具有“电子工程大类实验班”、“大学生科研训练计划”、“专业科研训练计划”等多种人才培养模式。（3）侧重无线传播环境分析、电磁兼容技术、微波射频系统等特色，注重厚基础、强能力的研发型、工程应用型人才的培养。就业去向：通信、广播电视、航空航天、仪器仪表等信息产业和电信设备制造商、通信运营商及天线系统制造等企业，从事无线传播环境分析、电磁兼容等方面的研究、设计和开发等工作，也可在电磁场与微波技术、电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。电子科学与技术本科（标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养具备物理电子、光电子与微电子学领域内宽广理论基础、实验能力和专业知识的，能从事各种电子材料、元器件、集成电路、乃至集成电子系统和光电子系统设计、制造和相应新产品、新技术、新工艺研究、开发等方面工作，在电路理论与系统、电子技术及其应用等方向形成特色，并能在相关领域从事相应器件及系统研究、设计、开发、生产管理等方面工作的高级人才。主要课程：数理基础、电路理论、电子技术、计算机基础与技术、通信基础系列课程，单片机原理及应用、半导体物理及器件、电子材料与元器件、电磁场与电磁波、可编程逻辑器件、模拟及数字系统设计等。专业优势和特色：（1）校级品牌专业。依托电子科学与技术重点学科（截至2012年为博士点建设学科），为学生进一步深造提供良好条件。（2）师资力量雄厚。以重庆高校实验教学示范中心电工实验中心、中央地方共建射频实验室和电磁场与微波技术实验中心等为基础和专业实践教学平台。（3）服务电子信息产业和地方经济，在电路理论与系统、电子技术及其应用等领域特色鲜明。就业去向：电信设备制造商、通信运营商及广播电视、航空航天等企业，从事电路设计、电子元器件研制、测控仪器软硬件设计和电子企业的生产管理等工作，也可在电子科学与技术、通信与信息系统等学科领域继续深造或从事研究和教学工作。光电信息科学与技术（本科，标准学制四年，授予工学学士学位，招生类别：理工类）培养目标：培养德才兼备、基础扎实、知识面宽、创新能力强，具备本专业的基本理论和专业技能，强化“光机电算”结合。可从事光通信系统设计及开发、光电系统及工程、通信工程、光电器件及信息处理、显示与照明及相关的电子信息技术、计算机科学、仪器仪表等领域的科研、开发、生产或管理工作的科学与工程技术人才。主要课程：数理基础、基础光学、电路、计算机及通信系列课程，光电技术、光纤技术、光信息处理和显示与照明等系列专业课程，光电领域前沿技术课程。专业优势和特色：（1）重庆市特色专业，重庆邮电大学品牌专业。（2）专业方向选择性大，从业口径宽，截至2012年，来本专业毕业生就业率保持在95%以上。（3）拥有国内外知名学者，师资力量雄厚。（4）依托市级光纤通信技术重点实验室，拥有中央与地方共建专业实验室，与全国电子信息类高科技企业等有良好的合作关系。就业去向：通信设备制造商、通信营运商、光机电设备制造商、以及显示与照明技术及相关领域内从事产品开发、生产技术或管理工作，攻读硕士学位或从事科研与教学工作。电工理论与新技术本学科以电工理论为基础，突出电工理论与新技术相结合的前沿理论与技术研究。截至2012年，本学主要从事电子新技术及其应用、电工理论与通信技术、物联网技术应用、智能电网等方面的研究工作。截至2012年，本学科在电子技术与信息技术和通信技术结合等领域取得了较好的成绩，出版专著10部，发表高水平论文100余篇，承担十余项国家、部省级以上科研项目，获省部级以上科学进步奖多项，特别是在通信电子新技术等研究方面成绩显著。本学科的主要学位与专业课程有：现代电路理论及技术、现代信号处理、现代传感技术与系统、高等电磁场理论、现代电力电子技术、智能电网技术、物联网技术与应用、射频识别原理与系统设计等。集成电路工程集成电路工程技术包含了当今电子技术、计算机技术、材料技术和精密加工等技术的最新发展。集成电路高密度、小尺度、高性能的特点，使得集成电路工程技术成为当今最具有渗透性和综合性的工程技术领域之一。集成电路的应用涉及网络通信、计算系统、信息家电、汽车电子、控制仪表、生物电子等众多方面。设计并制造集成电路作为应用产品的核心，是现代电子系统面向用户、面向产品、面向应用赢得竞争力的要求，同时也是传统产业升级和改造的关键。我院与中国电子科技集团公司第24、44、26研究所、四联集团、重邮信科公司、西南集成电路设计公司等国内外许多科研院所、公司企业在集成电路工程领域展开了广泛的人才培养和科研合作，实现了资源共享、优势互补。本专业聘请了具有丰富科研和实际工作经验的科研院所及企业高级专家担任兼职导师，为其提供了良好的应用型支撑。本专业的主要课程有：半导体器件物理、固体电子学、电子信息材料与技术、电路优化设计、数字集成电路、模拟集成电路、集成电路CAD、微处理器结构及设计、集成电路测试方法学、微电子封装技术、微机电系统（MEMS）、VLSI数字信号处理等。光学工程 “光学工程”是一门历史悠久而又年轻的学科，是以光学为主的，并与信息科学、能源科学、材料科学、生命科学、空间科学、精密机械与制造、计算机科学及微电子学等学科交叉与渗透的学科，包括激光技术、光通信、光存储与记录、光学信息处理、光电显示、全息和三维成像、薄膜和集成光学、光电子和光子技术、激光材料处理和加工、弱光与红外成像技术、光电测量、光纤光学、现代光学和光电子仪器及器件、光学遥感技术及综合光学工程技术等学科分支，成为现代光学产业和光电子产业迅速发展的重要基础。本学科拥有一支教授、研究员、副教授和讲师组成的结构合理的学术梯队，依托工信部和重庆市光纤通信技术重点实验室、重庆市微电子工程重点实验室，在光电子技术及应用、光纤通信系统、光电材料与器件以及红外成像与图像处理技术等领域已经形成稳定的、特色鲜明的学术方向，2009年至2012年来承担国家级、省部级科研项目以及横向项目等20余项，获得省部级科技成果奖5项，国家级/省部级教学成果奖8项，在国内外学术刊物和国际学术会议上发表论文100余篇，其中SCI/EI/ISTP检索50余篇。本学科的主要学位与专业课程有：数学物理方法、随机过程及其应用、激光物理与技术、光电子技术、光电材料与器件、光纤通信原理、高等光学、集成光学、数字成像技术、机器视觉、光纤传感与检测技术、非线性光学、微机电系统技术、微弱信号检测技术。电子科学与技术电子科学与技术是信息科学与技术的基础。本学科和信息与通信工程、计算机科学与技术以及控制科学与工程3个学科共同构成我校电子信息大类的主干学科。经过多年的建设，本学科在学科方向、学术团队、科研平台、研究成果和人才培养方面取得了良好发展。本学科拥有重庆市重点学科微电子学与固体电子学和微电子工程重庆高校市级重点实验室，和光纤通信技术重庆高校市级重点实验室。截至2012年，本学科已经在微电子系统与集成电路设计、半导体材料、器件与工艺、光电子技术及应用和通信与测控中的电路系统与电磁理论等方向上形成明显的特色和优势，初步形成了一支结构合理的学术团队，取得了一系列学术成果。截至2012年，先后承担省部级及其以上项目57项，其中国家自然科学基金项目14项；近五年发表论文525篇，其中被SCI、EI、ISTP收录149篇；共获得省部级以上科技奖11项，特别是微电子系统与集成电路设计研究团队参与的“TD-SCDMA终端核心芯片平台关键技术及应用”项目获得了国家技术发明二等奖，半导体材料研究团队完成的“稀土体系光谱的理论研究”项目获得重庆市自然科学一等奖。同时，本学科还获国家级和重庆市高等教育教学成果奖6项。近五年招收硕士研究生299人，授予硕士学位156人，并与西安交通大学、电子科技大学等高校联合培养博士研究生。本专业的主要学位与专业课程有：数学物理方法、随机过程及其应用、高等代数与矩阵分析、半导体器件物理、晶体管原理、高等电磁场理论、光波导理论、光通信新技术、微机电系统技术、非线性电路与系统、射频集成电路设计、非线性系统的混沌与控制、集成电路设计与制造技术、微波电路等。截至2014年，在职教职工92人，其中教授14人，副教授36人，讲师42人；专业教师中，25人具有博士学位，46人具有硕士学位；博士生导师6人，享受政府特殊津贴专家2人，重庆市优秀中青年骨干教师3人。2001年以来，教师共发表论文552篇，其中186篇被SCI收录、EI、ISTP收录；共承担包括863重大项目、国家自然科学基金在内的科研项目88项，获省部级科技进步奖9项，国家专利4项；教师中4人次获省部级先进个人。围绕“光纤通信技术重点实验室”与“微电子工程重点实验室”两个省部级重点实验室，以及“微电子学与固体电子学”省部级重点学科的建设，截至2014年已经在光纤通信技术、TD-SCDMA手机核心芯片的研发、DAB/DMB技术、纳米光电子材料的理论研究等领域形成特色。

物理学报》：发展与成就《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“Chinese Journal of Physics”，创刊初期用英、法、德三国文字发表论文。这是中国出版的第一份物理类综合性学术期刊，1953年易为现名的中文期刊。《物理学报》首任主编为我国第一代著名物理学家严济慈与丁燮林，随后担任主编的有吴大猷、王竹溪和黄祖洽，现任主编是原国家自然科学基金会副主任、中国原子能科学研究院研究员王乃彦院士。70余年的变迁，《物理学报》从初创到成长、壮大，特别是改革开放以来的发展，从一个侧面展现了我国现代物理学崛起与发展的梗概和脉络。现在，《物理学报》已成为目前中国历史最悠久、在国内外发行量最大、影响面最广的物理类学术期刊，赢得了国内外物理学界的普遍认同和信誉，受到包括诺贝尔物理奖获得者杨振宁教授在内的一些著名物理学家的高度评价，被认为是“中国权威性的物理刊物”，奠定了它在中国科技期刊中的重要地位。由中国科技信息所统计， 2003年《物理学报》被SCI-CD，SCI-E，EI-P，CA，INSPEC，JICST，AJ和MR等检索系统收录。根据SCI数据库统计，2003年《物理学报》的影响因子为1.130，总被引频次为2410次。特别是该统计显示，在本学科国际同类期刊中，其影响因子和总被引频次位于中上水平，在68种国际上综合性物理类期刊中，《物理学报》的总被引频次和影响因子分别位居第23和第28。其中，本刊的总被引频次居中国物理类期刊第1位、中国科技期刊第1位，影响因子为中国物理类期刊第2位。这几年来，本刊继续以提高质量为增强核心竞争力的主线，在办刊理念、学术品位、编辑质量、出版发行与宣传，以及运用现代信息技术等方面，进一步加快与国际接轨的步伐。特别是进一步提高期刊学术水准，《物理学报》面向国际学科发展的前沿领域，以国家知识创新体系的建设为依托，跟踪热点课题加强组织和征集优秀稿件，进一步提高学术论文的创新性、导向性和权威性。主要刊登由国家知识创新体系组成的国家科技攻关项目、国家“863”计划项目、国家“973”基础研究项目，以及国家自然科学基金项目等一批最新科研进展或取得科技成果的优秀论文。其中，在2004年《物理学报》刊登的论文中，基金资助论文比例为87.5%。这表明《物理学报》吸收前沿科学和高质量学术论文的能力在不断增强，提高了期刊自身的整体学术水平。据有关部门的不完全统计，《物理学报》被引相对较多的论文，其学术内容按国际物理学分类来看，主要涉及混沌系统的理论和模型、量子光学、流体力学、量子论、离散系统的经典力学、黑洞、点阵理论和统计学、介观体系和量子干涉、表面电子态、聚合物、薄膜与低维结构、光电效应、固体团簇结构与碳纳米管及纳米结构材料、超导电性、分子运动论、辐射的发射与吸收及散射、自旋电子学、磁熵变材料等研究领域，其中反映了当今物理学研究中的热点问题和新的方向。目前，对国内外发行和交换约1700份，光盘发行量约为600多个平台。2003年《物理学报》在科技部西南信息中心期刊网站中论文下载为3080篇次；在清华同方数据中，本刊2003年web下载3.58余万篇次，印刷版总被引频次2845次，其web扩散系数为12.61倍，在物理类期刊中，下载论文篇次居第1位。该统计显示，《物理学报》2003年即年指标17.2715，web影响因子14.4813。本刊2003年总被引频次、影响因子均居物理类期刊第1位。并在2001-2003年中，《物理学报》平均被引频次和影响因子均居物理类期刊第1位。近几年来，《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001、2002、2003年度百种杰出期刊奖，以及中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项。2003年10月《物理学报》创刊70周年。中国科学技术协会主席周光召题词祝贺：“格物唯实，推理求真”。全国人大副委员长、中国科学院院长路甬祥的题词为：“格物致知、勇创一流”。题词的著名科学家还有彭桓武、黄昆、杨振宁、李政道、冯端、陈佳洱、李荫远、黄祖洽、白春礼、王乃彦、赵忠贤、杨国桢、李方华、梁敬魁等。《物理学报》主管部门与主办单位及一些科研机构和高等学校也以各种方式表示祝贺。这些都表明《物理学报》的建设与发展始终得到物理界及各方面的高度重视与全力支持。其中除杨振宁教授上述对《物理学报》的评价外，我国著名超导专家赵忠贤院士指出：“《物理学报》是我国少数几个具有权威发性的高层次刊物之一，刊载的论文大多是在国内外处于领先地位的科研成果，审稿制度严格，对论文质量严格把关，编辑出版严谨细致认真”。“《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术期刊，是进行学术交流的重要刊物之一，一直受到国际物理学界专家的注目和好评。《物理学报》创刊71年来为繁荣我国的科学事业做出了重要贡献”。原国家自然科学基金委主任、中国物理学会理事长、北京大学校长陈佳洱院士称：《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术刊物，所登的许多论文达到国际先进水平，编辑出版质量高，是我国少数几个具有权威性的高层次刊物之一，受到国际物理学界专家的注目和好评。当今，科技期刊已成为一个国家科技发展和社会经济文化进步的重要标志。可以看到，面对我国入世后激烈的挑战，中国期刊的使命更加艰巨。时代呼唤期刊工作者与科学家、出版社和信息系统团结起来相互支持合作，在我国政府及其主管部门的组织的协调下，共同营造我国科技期刊发展的优良环境，为创办国际一流的学术刊物作出积极贡献，让中国科技期刊加快融入国际学术交流。《半导体学报》简介《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。

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中国集成电路期刊好投吗中国集成电路期刊是一本国内颇具影响力的期刊，由国家科技部主办，主要发表集成电路、半导体技术、电子元器件等方面的学术论文和研究成果。该期刊可以说是集成电路领域的一个重要窗口，其影响力不容小觑。因此，投稿中国集成电路期刊是一个不错的选择，可以获得较高的影响力和回报。

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集成电路芯片封装技术浅谈自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。下面将对具体的封装形式作详细说明。一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 1.适合PCB的穿孔安装; 2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 3.操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。以0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：7.8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 3.操作方便; 4.可靠性高。在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: 1.I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 5.组装可用共面焊接，可靠性高; 6.BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按0.5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1.1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 3.可靠性大大提高。随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。

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“我们首次在基于集成光子芯片的掺铒波导放大器中，实现超过 145 毫瓦（>145mW）的片上连续光输出功率，比已报道的器件提高两个数量级。并在几平方毫米的芯片面积上，实现了超过 30 分贝的片上连续光增益，这相当于将输入信号放大 1000 倍，也能满足光通信在 C 波段以及部分 L 波段的应用需求。”瑞士洛桑联邦理工（EPFL，École Polytechnique Fédérale de Lausanne）物理系教授托拜厄斯·J· 基彭伯格（Tobias J. Kippenberg）团队表示。

他们谈论的这一成果，正是近期发表在 Science 的一篇论文[1]。研究中，该团队在最长达 0.5 米的超低损耗氮化硅集成光波导中，使用了高能铒离子注入的方法进行掺杂。这种稀土离子注入技术在 1991 年由当时在美国贝尔实验室的阿尔贝托·波尔曼（Alberto Polman）教授（现任职于荷兰原子分子国立研究所）在薄膜材料中验证。该团队在保证离子掺杂均匀性的同时实现了高达 0.3% 原子掺杂浓度，铒离子分布与光模场重叠因子高达 50%，相比于其他稀土离子掺杂方式具有明显的优势。

高温退火之后，离子注入后的波导仍然保持了小于 5 分贝每米的超低背景光损耗，相当于在 1 米长的光波导中光信号背景损耗小于 50%。课题组使用波长在 1480 纳米的泵浦光（约 245 毫瓦），实现了接近 60% 的最大片上光功率转换效率。

相关器件的放大性能，不仅能与最先进的硅基异质集成半导体光放大器的增益性能相媲美，还达到了一些部分商用掺铒光纤放大器的水平。此外，他们还展示了选择性离子注入技术，证明了任意定义芯片上铒掺杂区域的可行性，借此制备出在同一个集成光子芯片上同时实现光增益单元与低损耗的无源功能器件，为实现大规模复杂的单片集成有源光子芯片提供了技术基础。

在应用上，其最直接的一个应用前景是实现尺寸极紧凑的高性能波导光放大器，在对器件体积和重量敏感的部分应用场景中取代台式光纤放大器，比如在数据中心，移动设备，和机载、星载设备中。

进一步的，该器件可以与其他片上光子功能器件集成在同一个光子芯片上，实现更复杂的、集成度更高的功能器件和系统，比如低噪声激光器、波长可调激光器、光子雷达引擎等，以满足光通信、集成微波光子学、量子信息存储等重要领域的研究和应用需求。

其中，该团队的博士后刘阳博士、博士生邱哲儒、博士生纪歆茹是论文主要作者；两位 EPFL 前同事——目前就职于南京航空航天大学的何吉骏博士、和就职于深圳国际量子研究院刘骏秋博士，也参与了该工作。

论文题为《基于光子集成电路的掺铒放大器》（A photonic integrated circuit–based erbium-doped amplifier），发表之后还得到了 Science 的亮点报道[2]。

亟待解决的难题：在集成光子芯片中实现高性能、低串扰的光信号放大

据介绍，作为一个可将微弱的光信号直接进行光放大的器件，掺铒光纤放大器被广泛用于长距离光纤通信网路和各种光纤激光中。掺铒光纤放大器的实现，是通过在光纤纤芯中注入了铒（Er）离子这种稀土元素，使得在泵浦光源的激励下，可直接对通信波段的光信号进行放大。

近二十年来，集成光子芯片技术得到了迅速发展，也极大降低了光子信号处理器件的尺寸和功耗。然而，一直以来在集成光子芯片中实现高性能、低串扰的光信号放大，是一个亟待解决的难题。

而本次团队将高浓度稀土铒离子直接注入到集成光子芯片中，实现了集成光波导放大器，首次达到了与商用光纤放大器相当的性能，解决了实现集成高功率光放大器、低噪声激光器、高脉冲功率锁模激光器等重要光子器件的关键难题。

其研究背景要从 20 世纪 80 年代说起。当时，国际著名光子学专家、英国南安普顿大学光电子中心的佩恩爵士（Sir D. N. Payne），以及美国贝尔实验室的物理学家埃曼努尔·杜苏庇尔（Emmanuel Desurvire）等研究人员发明了掺铒光纤放大器，它的诞生是光纤通信技术的革命性突破。

而华裔物理学家、诺贝尔物理学奖得主高锟发明的光纤，奠定了光通信的基础。但是，只有在光纤放大器取代了传统的、性能受限的电中继器之后，光通信技术才得到了飞速发展，人们才能通过遍布全球的长距离、跨洋光纤通信网络与世界各地通信交流。

稀土离子比如铒、镱、铥等具有独特的 4f 壳层电子结构，这让它们在宿主材料中有长达几个毫秒的激发态寿命，有利于实现粒子数反转从而能放大光信号。同时，毫秒级的长激发态寿命能大大减低不同波段光信号之间的串扰，从而能在一个放大器中对处于多个波长的光信号进行放大，进而极大地增加信道容量。

如今，商用光纤放大器的噪声系数，已能非常接近于量子力学决定的非相敏光放大的极限噪声性能（3分贝）。凭借这些特性，基于稀土离子掺杂的光纤放大器，成为了光通信技术中的理想增益介质。

此外，光纤放大器几乎在所有光纤激光器应用中都发挥着至关重要的作用，例如光纤传感、频率计量、激光雷达、激光加工等应用。在目前世界上最精确的原子钟里，光学频率梳是用于将光学频率转换为射频频率的关键组件，其中也运用了基于稀土离子掺杂的光纤放大器。

正因为基于稀土离子的光纤放大器的性能优势和在应用上的巨大成功，在集成光子芯片上实现基于稀土离子的波导放大器，很自然地成为了一个重要研究目标，这将对于集成光子学的发展具有相当重要的意义，能填补集成光子芯片上低噪声光放大技术的空白。

在过去 30 年里，全球许多团队都对稀土离子掺杂的波导放大器的研发做出了尝试。例如，在 20 世纪 90 年代，美国贝尔实验室展开了关于掺铒波导放大器的开创性研究，但由于当时采用的基于低折射率的玻璃的波导器件受体积大、损耗高，无法与现代集成光子芯片微纳加工工艺兼容等限制，相关研究逐渐相继停滞。

近十年来，集成光子学的快速发展和器件加工工艺的不断提升，对在主流集成光子材料平台上实现掺铒波导放大器，研究人员重新产生了浓厚兴趣，此前已有团队制备出掺铒氧化铝和掺铒锂酸铌放大器等。

然而，已报道的基于集成光子波导放大器的输出功率远低于 1 毫瓦（

上图电脑已经满足绝地求生游戏运行硬件配置要求。游戏卡顿可能是软件方面的原因。如果只有一个130GB硬盘，对于运行游戏和大型应用程序显得有些局促。

这被称为“摩尔定律”。他还预见了这些更加强大的芯片的潜在应用，“集成电路将会催生家用电脑、汽车自动控制和个人便携式通信设备等奇迹”。此外，基于微型集成电路片的技术会成为“在整个社会中更加普及的技术”，实现很多当时没有被其它技术充分支持或根本没有实现的功能。

事实证明，摩尔的预言非常准确。根据他的预测，到1975年，最先进的微芯片应该能够容纳多达65000个晶体管。当年发布的一个新的内存芯片系列的实际晶体管数量是65536个——摩尔长达十年的预测精准到了百分数的个位点。

摩尔定律：

当戈登·摩尔在1965年提出“摩尔定律”时，集成电路才刚刚诞生六年 [84] 。从那时起，摩尔定律便一直指引着半导体产业的发展。

1965年4月19日，摩尔在《电子》杂志上发表了题为《把更多元件塞进集成电路》的论文。在这篇论文中，摩尔做出一个著名的预言：未来10年里，最先进的微芯片所能容纳的元件数量将以约每年一倍的速度增加。

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