photo半导体硕士论文

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半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为～微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到微米的输出，而波长～微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。晶体管利用一种称为半导体的材料的特殊性能。电流由运动的电子承载。普通的金属，如铜是电的好导体，因为它们的电子没有紧密的和原子核相连，很容易被一个正电荷吸引。其它的物体，例如橡胶，是绝缘体 --电的不良导体--因为它们的电子不能自由运动。半导体，正如它们的名字暗示的那样，处于两者之间，它们通常情况下象绝缘体，但是在某种条件下会导电。

半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。

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0253-4177 半导体学报，EI收录期刊

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《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“ChineseJournal of Physics”，创刊初期用英、

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由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。

本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。属于4区

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跟杂志社联系一下,或去邮局订阅《半导体技术》杂志地址：河北省石家庄179信箱46分箱邮政编码： 050002电话：传真：电子邮件：；国内刊号： CN 13-1109/TN国际刊号： ISSN 1003-353X邮发代号： 18-65定价： 15元/期《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版) 全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。《半导体技术》的稿源及读者对象主要是全国各研究机构、大专院校和企事业单位等。月刊 .1976年创刊 .主管单位：信息产业部主办单位：中国半导体行业协会半导体专业情报网电子十三所编辑单位：半导体技术杂志社社长：杨克武主编：周立军主任：顾忠良

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刊名：半导体技术 Semiconductor Technology主办：中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所周期：月刊出版地：河北省石家庄市语种：中文;开本：大16开ISSN： 1003-353XCN： 13-1109/TN邮发代号：18-65历史沿革：现用刊名：半导体技术创刊时间：1976该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)(2013)Pж(AJ) 文摘杂志(俄)(2011)CSCD 中国科学引文数据库来源期刊（2013-2014年度）（含扩展版）核心期刊：中文核心期刊(2011)中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)中文核心期刊(1992)期刊荣誉：Caj-cd规范获奖期刊一般情况下一篇核心就可以吧

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我身边的科技史 ——简记工程物理系的科技发展历程本篇主要记述清华大学工程物理系的建立、发展过程、科技成果以及我对这一历程中若干问题的分析和探讨。一、工程物理系的成立原因。首先介绍一下当时的国际背景。1955年，国际局势依然很动荡，刚刚诞生不久的人民政权通过抗美援朝战争的胜利捍卫了祖国的安全，使自身得到了稳定。但是出于对社会主义国家的“先天嫉恨”及朝鲜战场上的失败，以美国为首的西方国家对共和国开始实施经济制裁、政治孤立和军事威胁等手段，妄图用19世纪以来列强欺侮弱国的方式颠覆人民政权。而其中最为严重的和西方国家引以为“法宝”的就是他们手中的“核弹牌”，他们想以此来进行核垄断和核讹诈。面对帝国主义的核威胁，党中央毅然作出了中国要发展核工业、研制核武器的战略决策，以保卫祖国安全、打破西方威胁。1955年1月14日周总理同著名科学家李四光、钱三强谈话，询问了我国核科学研究情况。1月15日毛主席主持召开了中共中央书记处扩大会议，会议听取了李四光、刘杰、钱三强的汇报，研究了我国发展原子能事业的问题，并作出了上述决定。同时，会议决定由周总理亲自组织实施。现在看来，当时作出这一决定主要还是为了研制我国自己的核武器，以捍卫祖国主权。核工业也几乎都是为了军事目的服务的，并没有形成后来有关核工业对国民经济重要性的深刻认识。这可以从当时核工业无一例外均为军工企业的情况看出。当然，这也是当时的危险国际环境决定的，国家安全是迫切而最为重要的一环。为了开创和发展原子能事业，急需培养大批原子能方面的技术干部。在人才培养方面，采取了几项措施：1、由刘杰、张劲夫、钱三强、蒋南翔等组成领导小组，加强对原子能干部培养工作的领导。2、经国务院批准，由钱三强、蒋南翔负责，在苏联、东欧的中国留学生中，选拔专业相近的学生，改学原子能专业。3、 1955年夏开始，在北大成立物理研究室（后改技术物理系），在清华筹建工程物理系。4、高教部于1956年9月组织了一个以蒋南翔为团长，周培源、钱伟长、胡济民等为团员的中国高等教育考察团访苏，了解苏联培养原子能干部的有关情况。5、 1956年3月，周总理正式批复同意高教部的《关于培养和平利用原子能干部的方案及有关问题的报告》。报告中确定在北京大学、清华大学等高校增设和平利用原子能的专业。（这其中第2、第4条显然得益于当时中苏交好的国际背景。同为社会主义国家，又同样面对西方势力的威胁，这让苏联这位领先一步的“老大哥”有意愿帮助中国开展有关工作，组成实质上的坚强联盟。由此可以看出国际大背景对国内一些具体事件的发生、发展是大有影响的。）正如上列的人才培养措施所示，清华大学将成立工程物理系，这便是工物系成立的开端。需要指出的是，我国核武器的研制并不是由工物系及北大的技物系主要完成的。他们中有部分教师和学生参与了一些辅助性的外围工作，不是主力军。那项任务主要是由归国的爱国专家及他们抽调的科研人员在极为隐秘的情况下完成的。但工物系的成立起到了培养核能事业后备军的重要作用，这能够保证我国在这一关键技术领域长期发展从而间接起到保卫国家安全和人民幸福生活的目的。从这个意义上来说，当时成立工物系确实是党中央和具体项目领导小组成员的远见卓识。二、工物系的筹建。蒋南翔校长回国后，于1955年11月向国务院上交了访苏报告，拟定在清华大学设立实验核子物理、同位素物理、远距离自动控制、电子学技术、无线电物理、半导体及电解质、空气动力学、固体物理、热物理及稀有元素分离工艺共十个新专业。实际上，当时除远距离自动控制专业外，其余九个专业皆设立或启动于即将成立的工程物理系。在师资方面，蒋南翔校长分别向高教部和北京市提出请求，为工物系配备优良师资。在中央的支持下，何东昌同志留任工物系系主任，天津大学的汪家鼎、石油工业部的李文才、留美回国的李恒德、留苏归国的张札等一些专家、教授、教师陆续调入了工物系。学校当时还从其他系和教研组抽调了许多优秀教师到工物系。蒋南翔校长在苏联考察期间，与我驻苏联大使馆有关人员商定了一部分留苏学生改学原子能专业，为师资作准备。在招生方面，1955年以机械系工程物理专业招收一年级新生四个班，1955年9月，由北外俄语专修班调入一个年级新生一个班，1956年春由校内机械等系又调入55级学生两个班，组成一年级。同时于1955年秋由机械、动力、电机等系调入53级学生46人组成三年级，调入54级学生54人组成而年级。这样，初期的学生已经初具规模。学校1955-1956年度第十一次校务行政会议和1956-1957年度校务行政会第一次会议，分别讨论57年本校基建任务和通过1957年房屋基本建设任务时，决定列入建设工程物理管，面积15000平方米。1958年7月建成，实际建筑面积12000多平方米。在各种条件初步具备的情况下，1956年10月27日，1956-1957年度校务行政会议第二次会议“议决：成立工程物理系，由何东昌同志担任系主任”。这就是工程物理系的成立过程。三、建系到文革前。在这一阶段，工物系从平地起家，艰苦奋斗，建立系领导班子，筹集教师队伍，设置各专业教研组及相应的实验室，开出了全部课程，建立了核反应堆，创建了核科学技术教学科研基地“200＃”，培养了我国首批核科技专业毕业的大学生，他们在艰苦的核国防、核工业岗位上作出了自己的贡献，工物系进入了第一个辉煌期。在这个阶段，教研组是教学、科研实体，与专业或专门化一一对应。初期只是专业小组，1958年后才陆续正式成立各教研组，分别是：核电子学教研组，实验核物理教研组，加速器教研组，计量防护教研组，理论物理教研组，同位素分离教研组，核材料教研组，反应堆教研组，放射化工教研组。当时条件极为艰苦，大多数教研组都可谓“一穷二白”，白手起家。比如说实验核物理教研组，当时实验课开课的工作量和困难都很大。要做核物理实验，先要试制探测器，气体探测器的试制是在真空专家何增禄教授指导下，从建立特殊的玻璃真空系统开始的。为准备闪烁探测器实验，先到北大、261厂学习制作碘化钠晶体，而当时他们也尚未研制成功。组内每人一个题目，想方设法去完成。终于一年后为物9班开出了第一批核探测器方面的实验课。但尽管条件很差，教研组的教师和部分同学还是取得了非常优秀的科研成果。对于实验核物理教研组，1959－1960年，在苏联专家别尔金和科学院梅镇岳教授的指导下，开展了光核反应、中子物理研究，并以“真刀真枪”的方式，让学生在科研任务中作毕业设计。该组还解决了高温、高压、高辐射条件下的真空密封等工艺问题，在全国首先研制成功的核反应堆控制用的电离室，解决了苏联封锁的难题。对于核电子学教研组，一方面从基础教学做起，一方面和北大、原子能所一起，在苏联专家指导下研制当时国际水平的100道多道分析器和线性脉冲放大器。为了贯彻教学、科研、生产相结合的方针，组织师生设计、制造单道谱仪，每套由高压电源、进位器、线性放大器、单道脉冲幅度分析器等组成，后来这套仪器转给了营口电子仪器厂批量生产。再比方说加速器教研组，1955年蒋南翔校长访苏期间从苏联购买了一台25 MeV的电子感应加速器，苏方派专家到我校指导安装调试和应用。25MeV加速器1958年底曾达到过额定指标，但不稳定。1959年苏联专家撤走时，加速器γ射线输出为零。1960年实验室依靠年轻教师和实验技术人员采用了磁场补偿方法，不仅使加速器工作稳定了，而且射线输出超过原设计指标50％。其间实验核物理组的工作人员利用该加速器开展了建系以来第一批核反应研究。1958－1962年还建成了400KeV高压倍加器，实验核物理的工作人员在其上开展了中子物理实验研究。1959年还设计、制造了我国首台5MeV电子感应加速器，1963－1964年出束。1965年建成了电子回旋加速器。教学方面，1956－1959年曾聘请苏联专家讲授加速器的原理，并编写了《粒子加速器物理基础》一书出版，这是我国最早的加速器教科书。计量防护教研组主要从事课程建设，同时配合200＃的建堆，参加了反应堆屏蔽的理论计算和设计工作。还结合教学、科研工作的需要，组织翻译了“反应堆屏蔽手册”等书籍。此外，理论物理教研组、同位素分离教研组、核材料教研组、反应堆教研组以及放射化工教研组也都取得了大量的科研成果，不再赘述。在教师方面，这一时期主要采取了四项措施来建设一支优秀的教师队伍：由校内调入年轻教师，边干边学，边学边教，虚心向校内外的专家和书本学习请教；引进优秀人才,如从浙江大学、天津大学、留苏、留美的科研专家中抽调优秀人才;按德才兼备原则选拔优秀学生，进行培养，让他们学与教“双肩挑”，提前工作压担子，早日得到科研教学锻炼；聘请苏联专家。这些措施对工物系师资水平的提升起到了极为重要的作用。文革前工物系招收和部分调入的各级学生，坚持了高标准，录取分数和政治条件都是全校最高的。建系初期的教师、学生情况，充分反映了当时人们对献身祖国原子能事业的向往和自豪，也充分说明了国家、学校对培养原子能干部的高度重视和支持。我还想谈一点关于专业调整变动的看法。这一时期，起初拟定在工物系设定十各专业，后来将放射性稀有元素工艺学专业调往化工系，远距离机械及自动化装置放在了电机系，电子学专业、无线电物理专业、电介质及半导体专业在1957年调入新成立的电子系。若将目光放到文革后，则会发现工物系的理论物理、固体物理、核物理教研组调往复建的物理系，生物物理研究室也调入了生物系，材料科学专业调入了材料系。这一切变动无疑反映了校方对于各专业更为科学的认识与分类。从实际上讲，布局也确实更为合理，但却使工物系的规模不断缩小，专业、学生数也越来越少。起初庞大的工物系确实称得上是工程和物理的大结合，专业众多，系统庞大。但经历了几次调整之后工物系几乎只剩“核”了，也许这是专业的回归吧，毕竟原本就是为了“核”这一核心服务的，但却令现在的许多人对工物系是干什么的莫不着头脑。全是以核为中心难道仍可以称其为“工程物理”吗？系名似有不妥，应当与时俱进才对。当然，系内专业的变动也与国家方针有关。起初建系主要在于培养与核有关的各方面人才，无论无线电、半导体、热物理，还是电子学及自动化，只要与核相关、核工程实施中需要就全部纳入、统筹培养。实质上这是形成了一个团队，内部成员各司专业，一起做核工程的事便几乎不缺少其他专业的专业生了。这倒也是一种短期内满足国家迫切需求的方式，与国家意志相一致。但随着后来对各学科的深入认识，大家发现电子学、材料学等也各有一大片重要应用天地，其意义不亚于核工程，所以国家及学校逐渐进行了调整，以便更有利于国民经济发展和我国科技水平的全面进步。以工物系形式上的部分牺牲换来了更好地为国家服务，我想这也是值得的。当然，工物系也与时俱进地新建立了一些专业方向，拓展了核科学技术地应用和研究范围，这是后话。四、文革十年其间1966年5月到1970年五月教育工作陷入完全停顿地状态，大部分涓埃哦是下放到农场劳动。在此期间，由军宣队与工宣队组织的“革命委员会”领导全系工作，废除原教研组建制，实行班、排、连体制，强行系、厂并，将原工物系所属专业大部分并入试化厂200＃。所属教师参加该厂的“斗、批、改”及厂内有关的科研、生产、教学工作。广大教师虽身受多种干扰，仍然想方设法多给国家做一点有益的教学、科研工作。广大学员来自基层，文化基础参差不齐。为了使学员们学懂、学好，教师们认真编写教材，深入工厂进行调查研究，结合实际讲解，还进行开门办学，理论联系实际搞技术革新，如带领学员们到水泥厂安装料位计、到燃料元件厂参加生产实验等。大多数学员很珍惜乱中难得的学习机会，克服困难，努力学习。学员毕业后，很多人继续学习和深造，他们成了各领域的骨干人才。文革中，科研处于半停顿状态，工物系取得较大进展的项目有两项：一是同位素离心分离技术的研究，改进型第二代离心机研制成功;二是加速器项目，1974年作为技术牵头单位参加了北京市组织的医用电子直线加速器会战，建成了国内首台医用行波电子直线加速器，并投入医院使用。五、1977年到1995年。消除文革的影响，尽快恢复教学科研秩序；调整、改革，探索、解决新形势下出现的矛盾和问题，求得新的发展，是这一阶段的主要任务。广大教师开始学习使用计算机，更新实验仪器，重新编写课程讲义、实验讲义，恢复、调整和重建大部分实验室。随着核工业的逐步复兴，为了满足中国核工业总公司的人才需求，从1992级开始每年招收第二学士学位“核工程与核技术”专业一个班。为适应我国核电发展的需要，还为大亚湾核电站等单位举办了多届继续教育培训班。这个阶段，工物系有“核电子学”，“反应堆物理”和“智能物理仪器”等三门课程被评为清华大学一类课，“核电子学”教材荣获国家教委优秀教材奖和核工业部优秀教材特等奖，“离心分离理论”教材获国家优秀教材奖。在此期间，科研也逐步有了较大发展，完成了国家“六五”“七五”科技攻关项目中的铀同位素分离研究、核电安全分析等13各课题，以及“863”高技术项目――快中子反应堆方面的课题、实验工业CT研究等。承担了“八五”科技攻关项目：“大型集装箱无损检测技术”、“海关大型货物在线检测用加速器”、“铀同位素分离技术”等的研究。在科技成果转化方面，也进行了有益的探索。1984年10月，工物系与海淀区联合成立了以研制开发工业核仪表为主的新技术企业“北京华海新技术开发公司”，这个公司是中关村和学校的第一批新技术企业之一。它对成果转化、新技术企业的兴起以及核技术的推广应用，起了一定的带头作用。六、1996年至今。1995年9月成立了核技术研究所，撤销教研组设置。与此同时，实施了系管教学、所管科研的机制。系机关也由管理型向服务型转化。这些系内体制和管理机制的改革对工物系在新时期的更好发展提供了强大的推力。在“九五”“十五”期间，工物系完成了“九五”攻关项目、“十五”专项项目――离心法分离同位素的实验研究，“九五”攻关项目、“H986工程”项目――移动式大型集装箱检测系统的研制；“十五”攻关项目、“985”项目――大型高能工业CT样机的研制等等。基础研究方面，完成了国家自然科学基金重点项目“大型工业螺旋 CT 关键物理与技术问题研究”；和物理系等共同承担的973项目“硬X射线调制望远镜HXMT”取得较好进展。还承担了自然科学基金重点项目：“低温等离子体辅助制备纳电子期间单元机理的研究、球形环等离子体电流非感应建立及维持的研究”。教育部重大平台“公共灾害防治科技创新平台”等课题。这些只是具有代表性的较大项目，工物系另外承担的项目还有很多，这里不再详细列举。1996年开始对大型集装箱检查系统进行成果转化。通过1997年同方公司投资组建的企业（即现在的“威视股份”）的形式实施集装箱系统成果转化，在成果转化过程中探索出了“带土移植，回报苗圃”的新模式，推出了固定式、车载移动式、组合移动式系列集装箱检查系统。工物系研制的煤灰分测量技术、低温启动器装置等的成果转化都取得了新进展。2005年，为了促进学科发展、促进公共安全科技成果的转化，组建了以开发公共安全产品为主的辰安伟业科技有限公司。在这一阶段，实验室水平进一步提高，且数量增加。新建成了“等离子体科学与聚变实验室”，“公共安全科学与技术实验室”。“电磁兼容实验室”等。“粒子技术与辐射成像实验室”被定为国家教育部重点实验室，“物理分离实验室”被评为清华大学一级实验室。各实验室都新增加了很多先进的仪器设备。七、个人感受。工物系的科技成果成绩斐然，，而它在科研体制方面的探索业是有很多优秀成果的，如系管教学、所管科研的新型体制的建立，定向生培养模式以及与时俱进地调整专业设置、更好地适应社会和国家需要等等，都极有借鉴意义。这些也是工物系领导和教师地智慧结晶。而科学建制对科技发展的影响是巨大的，我们可以从过去的科技史资料中得到这一启示。当然，我认为工物系还应当在一些方面进行改进。作为大一学生，我不可能深入了解到科研、管理方面的内容，只能就教学方面从我作为学生的角度谈一点感受。我认为工物系应当在大一上下学期都增加一两门专业概论性质的课程，而不是推迟到暑假小学期时才开始。这样能让学生更早、更清楚地认识自己将来所从事地专业，了解其需求的各种能力，更有针对性地指导自己平时地学习。这样的话我想大家的积极性和效率会更高；其二，我认为系里应当多组织学生参观实验室，简要介绍相关设备的功能、原理和应用，以及实验室的主要科技成果和历史，而不是让学生自己去找，因为没有一个统一的安排与督导，大家可能会很少去关注那些看起来冷冰冰的仪器设备什么的。我认为组织统一参观可以开阔学生视野、启迪学生思维，这对学生的成长时大有益处的;其三，应当尽早（如大一）向学生介绍将来转也的各个研究方向，以便学生心中有底，平时能够更多地去了解自己感兴趣的方向，对将来选择那个方向结合自身特点作出更为合理的判断，从而避免掉推研时在短期内盲目地去跟风，既不了解研究方向，也不知道自己地兴趣点。工物系已成立五十多年了，五十多年以来，在工物系工作过的教职工上千人，在工物系学习过地学生近万人，系友中有23名两院院士，13名共和国将军，一批党和国家领导干部、海内外学者、企业家，还有一大批在国防和国家重点单位的各种岗位上辛勤奉献、成绩卓著的无名英雄。工物系书写了半个世纪的辉煌篇章。在新的征途上，我想工物系一定能够做出更大的贡献！祝福工物……工物系核71班马晓 2007011769参考书目：《清华大学工程物理系建系50周年纪念文集》王金爱/刑振华/戚群力主编 2006年9月《清华大学与中国近现代科技》杨舰/戴吾三主编清华大学出版社 2006年1月

我国半导体产业现状及前景分析全球半导体产业向亚太转移，我国半导体产业融入全球产业链全球半导体市场规模06年达到亿美元。主要应用领域包括计算机、消费电子、通信等。在电子制造业转移和成本差异等因素的作用下，全球半导体产业向亚太地区转移趋势明显。我国内地半导体产业发展滞后于先进国家，内地企业多位于全球产业链的中下游环节。我国半导体产业成为全球产业链的组成部分，产量和产值提高迅速，但是产品技术含量和附加值偏低。2007年半导体产业大幅波动，长远发展前景良好半导体产业的硅周期难以消除。2007年上半年，在内存价格上升等因素作用下，全球半导体市场增速明显下滑。至2007年下半年，由于多余库存的降低、资本支出的控制，半导体市场开始回升。预计2008年，半导体产业增速恢复到一个较高的水平。长远来看，支撑半导体产业发展的下游应用领域仍然处在平稳发展阶段，半导体产业的技术更新也不曾停滞。产品更新与需求形成互动，推动半导体产业持续增长。我国半导体市场规模增速远快于全球市场我国半导体市场既受全球市场的影响，也具有自身的运行特点。我国半导体应用产业中，PC等传统领域仍保持平稳增长，消费电子、数字电视、汽车电子、医疗电子等领域处于快速成长期，3G通信等领域处于成长前期。我国集成电路市场规模增速远快于全球市场，是全球市场增长的重要拉动元素。2006年，我国集成电路市场已经成为全球最大市场。我国半导体产业规模迅速扩大，产业结构逐步优化我国半导体产业规模同样快速提高。在封装测试业保持高速增长的同时，设计和制造业的比例逐步提高，产业结构得到优化。在相关管理部门、科研机构和企业的共同努力下，我国系统地开展了标准制定和专利申请工作，有效地保障本土企业从设计、制造等中上游产业链环节分享内地快速增长的电子设备市场。分立器件、半导体材料行业是我国半导体产业的重要组成部分集成电路是半导体产业的最大组成部分。分立器件、半导体材料和封装材料也是半导体产业的重要组成部分。我国内地分立器件和半导体材料市场和产业也处于快速增长之中。上市公司我国内地半导体产业上市公司面对诸多挑战。技术升级和产品更新是企业生存发展的前提。半导体材料生产企业有较强的定价能力，在保持产品换代的前提下，有较大的成长空间；封装测试公司整体状况较好；分立器件企业发展不均。全球半导体产业简况根据WSTS统计，2006年全球半导体市场销售额达2477亿美元，比2005年增长；产量为5192亿颗，比2005年增长；ASP为美元，比2005年下降。从全球范围来看，包括计算机(Computer)、通信(Communication)、消费电子(ConsumerElectronics)在内的3C产业是半导体产品的最大应用领域，其后是汽车电子和工业控制等领域。美、日、欧、韩以及中国台湾是目前半导体产业领先的国家和地区。2006年世界前25位的半导体公司全部位于美国、日本、欧洲、韩国。2005年，美国和日本分别占有48%和23%的市场份额，合计达71%。韩国和台湾的半导体产业进步很快。韩国三星已经位列全球第二；台积电(TSMC)的收入在2007年上半年有了很大的提高，排名快速升至第6，成为2007年上半年进入前20名的唯一一家台湾公司，这从一个侧面反映了台湾代工业非常发达。中国市场简况中国已经成为全球第一大半导体市场，并且保持较高的增长速度。2006年，中国半导体市场规模突破5800亿，其中集成电路市场达4863亿美元，比2005年增长，远高于全球市场的增速。我国市场已经达到全球市场份额的四分之一强。在市场增长的同时，我国半导体产业成长迅速。以集成电路产业为例，2006年国内生产集成电路亿块，同比增长。实现收入亿元，同比增长。我国半导体产业规模占世界比重还比较低，但远高于全球总体水平的增长率让我们看到了希望。中国集成电路的应用领域与国际市场有类似之处。2006年，3C(计算机、通信、消费电子)占了全部应用市场的，高于全球比例。而汽车电子的比例，比起2005年的有所提高，仍明显低于全球市场的。与此相对应的是，我国汽车市场销量呈增长态势，汽车电子国产化比例逐步提高。这说明，在汽车电子等领域，我国集成电路应用仍有较大成长空间。我国在国际半导体产业中所处地位我国半导体市场进口率高，超过80%的半导体器件是进口的。国内半导体产业收入远小于国内市场规模。2006年国内IC市场规模达5800亿，而同期国内IC产业收入是亿。我国有多个电子信息产品产量已经位居全球第一，包括台式机、笔记本电脑、手机、数码相机、电视机、DVD、MP3等。中国已超过美国成为世界上最大的集成电路产品应用国。但目前国内企业只能满足不到20%的集成电路产品需求，其他依赖进口。中国大陆市场的半导体产品前十名的都是跨国公司。这十家公司平均21%的收入来自中国市场。这与中国市场占全球市场规模的比例基本吻合。2006年这十家公司在中国的收入总和占到中国大陆半导体市场规模的。上述两组数字从另一个侧面反映出跨国公司占有国内较高市场份额。国内半导体市场对进口产品依赖性高。虽然我国半导体进口量非常大，但出口比例也非常高。2005年国内半导体产品有64%出口。这种现象被称为“大进大出”，主要是由我国产业链特点造成的。总的来看，我国IC进口远远超过出口。据海关统计，2006年我国集成电路和微电子组件进口额为1035亿美元，出口额为200亿美元，逆差巨大。由于我国具有劳动力竞争优势，国际半导体企业把技术含量相对较低、劳动密集型的产业链环节向我国转移。我国半导体产业逐渐成为国际产业链的一环。产业链调整和转移的结果是，我国半导体产业在低技术、劳动密集型和低附加值的环节得到了优先发展。2006年，我国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别是、和。一般认为比较合理的比例是3:4:3。封装测试在我国先行一步，发展最快，规模也最大，是全球半导体产业向中国转移比较充分的环节。而处于上游的IC设计成为最薄弱的环节。芯片制造业介于前两者之间，目前跨国公司已经开始把芯片制造逐步向我国转移，中芯国际等国内企业发展也比较快。这样的产业结构特点说明，国内的半导体企业多数并未直接面对半导体产品的用户—电子设备制造商和工业、军事设备制造商，甚至多数也没有直接分享国内市场。更多的是充当国际半导体产业链的一个中间环节，间接服务于国际国内电子设备市场。这种结构，利润水平偏低，定价能力不强，客户结构对于企业业绩影响较大。究其原因，还是国内技术水平低，高端核心芯片、关键设备、材料、IP等基本依赖进口，相关标准和专利受制于人。国内企业发展也不够成熟，规模偏小，设计、制造、应用三个环节脱节。与产业链地位相对应，我国大陆的企业多为Foundry(代工)企业，这与台湾的产业特点相类似。国际上大的半导体跨国公司多为IDM形式。2007全球半导体市场波动，未来增长前景良好半导体产业长期具有行业波动性硅周期性依然将长期存在。这是由半导体产业所处的位置决定的。半导体产业本身具有较长的产业链环节。同时，半导体产业本身是电子设备大产业链的一个中间环节。下游需求和价格变动等外在扰动因素、产业技术升级等内在扰动因素必然在整个产业链产生传导作用。传导过程存在延时，从而导致半导体公司的反应滞后。半导体产业只有提高自身的下游需求预见性，及早对价格、需求和库存等变动做出预测，从而尽量减小波动的幅度。但是，半导体产业的波动性将长期存在。2006年全球手机销售量增加21%2006年全球手机销售量为亿部，同比增长21%，其中，2006年四季度售出亿部，占全年。Gartner预测2007年手机销量为12亿部，比2006年增加2亿部。手机市场增长平稳。手机作为个人移动终端，除了通信和已经得到初步普及的音乐播放功能外，将集成越来越多的功能，包括GPS、手机电视等等。3G的逐渐部署也极大促进手机市场的增长。手机用芯片包括信号处理、内存和电源管理等。图9反映了手机用内存需求的增加情况。2006至2011年全球数字电视机市场将增长一倍iSuppli预测，从2006年至2011年全球数字电视机半导体市场将增长一倍，从71亿美元增至142亿美元。数字电视机的芯片应用包括输入/输出电路、驱动电路、电源管理等方面。带动数字电视机增长的因素有多种，包括平板电视价格下降，新一代DVD播放机普及，高清电视推广等。此外，许多国家的政府都宣布了从模拟电视切换到数字电视广播系统的计划。例如，2009年2月17日，全美模拟电视将停播，全部切换为数字电视广播。中国内地半导体产业的“生态”环境中国大陆半导体产业作为国际产业链的一个环节，企业形态以代工型企业(foundry)为主，产业结构偏重封装测试环节，半导体制造快速发展，未来我国半导体产业与国际产业大环境的联系将愈发密切。总的来看，国内企业规模和市场份额相对较小，产品单一，企业发展和技术水平还不够成熟稳定，行业处于成长期。下游通信、消费电子、汽车电子等产业同样是正在上升的市场，发展程度低于国际先进水平，发展速度快于国际平均水平。各种因素共同作用，使得我国半导体产业发展并非完全与国际同步，具备自身的产业“生态环境”，具有不同的发展特点。2007年上半年，虽然全球市场增速只有2%，但我国内地依然保持了较高的增长速度。上半年中国集成电路总产量同比增长，达到亿块。共实现销售收入总额亿元，同比增长。收入增长与2006上半年的48%相比有所回落，部分是受国际市场的影响，但相当大的程度还是国内产业收入基数增大等因素及内在发展规律所致。我国半导体市场和产业规模增长远快于全球整体增速受益于国际电子制造业向我国内地转移，以及国内计算机、通信、电子消费等需求的拉动，我国内地半导体市场规模的增长远快于全球市场的增长速度，已经成为全球半导体市场增长的重要推动区域。作为半导体产业的重要组成部分，国内集成电路产业规模也是全球增长最快的。上世纪90年代初，我国IC产业规模仅有10亿元，至2000年突破百亿元，用了近10年时间；而从2000年的百亿元增至2006年的千亿元，只用了6年时间。今年年底，中国集成电路产业收入总额有望超过全球8%，提前实现我国“十一五”规划提出的“到2010年国内集成电路产业规模占全球8%份额”的目标。我国半导体应用产业处在高速发展阶段PC、手机等传统领域发展依然平稳，同时多媒体播放GPS和手机电视为手机等移动终端带来了新的增长点。我国数字电视、3G、汽车电子、医疗电子等领域发展进程有别于国际水平，未来几年内将进入高速发展阶段，有力促进国内半导体需求。抢占标准制高点，充分利用国内市场资源其实，从目前的角度来看，我国市场规模的快速增长，国内企业在某种程度的程度还不是直接受益者。这是由国内半导体产业在国际产业链中所处的位置所决定的。这一情况在逐步改善，其中最重要的一点，就是我国在标准和专利方面取得突破。国内的管理部门、专家团队、科研机构和企业已经具有了产业发展的规划能力和前瞻性。在国内相关发展规划的指导下，产业管理部门、科研机构和企业的共同努力，促使3G通信标准TD-SCDMA、数字音视频编解码标准AVS标准、数字电视地面传输国家标准DTMB等系列国内标准出台；手机电视标准虽然尚未明确，但CMMB等国内标准已经打下了良好的基础。这些国有标准虽然未必使国内公司独享这些领域的半导体设计和制造市场，但是标准的制定主要是依靠国内科研机构和企业。在标准制定的过程之中，这些科研机构和企业已经系统地实现了相关技术，研发出了验证产品，取得先入优势。标准制定的同时，国内科研机构已经开展专利池的建设。这样，国内半导体产业就具备了分享这些领域的国内市场的有利条件。我们有理由相信，国内数字电视、消费电子等产业进一步发展，已经对国内半导体产业等上游产业具有了昔日不可比拟的带动能力，本土半导体公司可以更加直接的“触摸”到国内半导体应用产业了。产业链结构缓慢向上游迁移自有标准体系的建立，使国内半导体产业的发展具备了一定的优势。身处有利的“生态环境”内，我国半导体产业发展前景良好。目前，我国半导体产业结构已经在逐渐发生变化。2002年，中国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别为、、和，2006年，这一数字变为、和。设计、制造、封装测试三业并举，我国半导体产业才能产生更好的协同作用，国际公认的合理比例是3:4:3。我国半导体产业比例的改变，说明我国集成电路产业在向中上游延伸，但距离理想的比例还有差距。设计和制造业需要更快的提高。芯片设计水平和收入逐步提高从集成电路产业链的角度来看，只有掌握了设计，使产业链结构趋于合理，才能掌握我国IC产业的主动权，才能进入IC产业的高附加值领域。近年来，我国集成电路的设计水平不断提高。20%的设计企业能够进行微米、100万门的IC设计，最高设计水平已达90纳米、5000万门。虽然我国半导体产业很多没有直接分享国内3G、消费电子等领域的高成长。但是，这些领域确实对我国IC设计业的发展提供了良好的发展契机。例如，鼎芯承担了中国3G“TD-SCDMA产业化”国家专项，并在2006年成为中国TD产业联盟第一家射频成员；展讯通信(上海)有限公司是一家致力于手机芯片研发的半导体企业，2006年的销售额达亿元。内地排名第一的芯片设计企业是珠海炬力集成电路设计有限公司(晶门科技总部位于香港)，MP3芯片产品做的比较成功，去年的销售额达到了亿美元。中星微电子和展讯通信公司先后获得国家科技最高奖—国家科技进步一等奖。芯片生产线快速增长我国新建IC芯片生产线增长很快。从2006年至今增加了10条线，平均每年增加6条。已经达到最高90纳米、主流技术微米的技术水平。12英寸和8英寸芯片生产线产能在国内晶圆总产能中所占的比重则已经超过60%。跨国企业加快了把芯片制造环节向国内转移的速度，Intel也将在大连投资25亿兴建一座芯片生产厂。建成投产后形成月产12英寸、90纳米集成电路芯片52000片的生产能力，主要产品为CPU芯片组。目前我国大尺寸线比例仍然偏小，生产线的总数占全世界的比例也还小于10%。“十一五”期间我国IC生产线有望保持快速增加。