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关于玻璃论文的参考文献2021

发布时间:2024-08-31 03:53:41

关于玻璃论文的参考文献2021

论文下面的参考文献应该怎么写: 1、学位论文 [序号]主要责任者,文献题名,出版地,出版单位,出版年,起止页码(可选)。 2、专著、论文集、报告  [序号]主要责任者,文献题名[文献类型标识],出版地:出版者,出版年:起止页码(可选)。  3、论文集中的析出文献   [序号]析出文献主要责任者,析出文献题名,原文献主要责任者(可选)原文献题名,出版地:出版者,出版年:起止页码。

这个问题太专业了,怎么回答呢

人们常说的水玻璃实际就是有机玻璃和人造玻璃,还有水晶玻璃。他们之间最熟水晶玻璃价值最高。

给你份电熔窑的设计综述吧4㎡电熔窑炉的设计综述摘要:简述了玻璃电熔窑的优点,分析了小型电熔窑的结构,列举了常用电极的特点,提出布置电极,分配电能的一般原则。简述了选择耐火材料的目的及确定电极间玻璃液电阻的方法。1前 言玻璃在高温时是一种电导体。熔融玻璃液含有碱金属钠、钾离子,它具有导电性能。当电流通过时,会产生焦耳热,若热量足够大,则可以用来融化玻璃,这就是所谓的“玻璃电熔”。【1】从使用效果看,电熔窑优点突出,表现为:熔化率高(可高达80%—85%)、结构简单、自动化程度高和劳动环境好,且熔制出的玻璃成分均匀,产品质量高。试从以下几方面阐述一下对玻璃电熔窑设计中的一些看法。2选择合理的熔窑结构选择熔窑结构是设计电熔窑的第一步。电熔窑消耗的电能分为两部分:一部分为有功电能,是指用于熔化玻璃所消耗的电能;另一部分为无功电能。无功电能又分为两部分,一是主动浪费的电能,如电极冷却水、池壁冷却风等带走的热量;二是被动浪费的电能,如池壁散失的热量等。要提高电熔窑的热效率,唯一的办法就是减少被动浪费的热能。从池壁散失的热量(无论是通过传导,还是通过辐射)均和池壁面积成正比,也就是说,为了提高热效率,在工艺允许的情况下,池壁面积越小越好。电熔窑的结构形式多种多样,如以老式平板池窑为基础的、保持在熔制过程中水平流程不变的Borel窑,,WKonig窑,Gell公司的用流液洞相连的双室垂直窑等。从理论上讲,要达到表面积最小,窑的外形最好是球形,其次是圆柱形。但球形和圆柱形建造困难,为了使建造易行,近年来在实际生产中多设计成六角形。为了防止未熔化好的粉料进入料道并减少回流,用流液洞把熔化部和工作部深层分隔,使熔化好的玻璃液通过流液洞、上升道和料道到达工作部。【2】3选择合适的耐火材料相对于火焰表面加热的熔窑来说,电熔窑产量大、熔化温度高,玻璃液对池壁冲刷厉害。应选用高质量的耐火材料。如:应具有较高的耐玻璃液冲刷能力和侵蚀能力,在操作温度下具有较高的电阻率(耐火材料传导电流会加速对其侵蚀)等。选择耐火材料并非所有部位都采用高质量的耐火材料,而是按照冲刷速度和温度高低合理搭配耐火材料,使各部位耐火材料寿命尽量一致,达到既节省投资又能保证窑龄。由于玻璃液对耐火材料的侵蚀与温度呈指数关系,一般把耐侵蚀性和较高的41#氧化法锆刚玉砖用在温度较高(如电极砖)和玻璃液流速大的部位(如流液洞)以及液面线附近。除窑顶外,其他部位均可选用33#或36# 锆刚玉。电熔窑一般是冷顶操作,上部空间温度不高,所以窑顶可选用高铝砖或粘土质耐火砖。4选择合理的电极电极是直接和玻璃液接触并把电能传递给玻璃液的元件。选择电极材料的原则是:抗氧化性强,足够的耐热性、不污染玻璃液,允许电流密度大,加工方便,造价低。可用作电极的材料有:石墨、铁、氧化锡、铂和钼等。各种电极性能不同,使用的场合也不同,有时不可互换,否则,不仅影响玻璃质量,还会造成重大事故。石墨电极密度比玻璃液小,损坏后漂浮于玻璃液面,易于发现和取出,价格也便宜。但石墨电极表面不易被玻璃液湿润,接触电阻较高,导致其允许表面电流密度低,另外,石墨和玻璃的某些成分发生氧化还原反应,尤其是用金属氧化物生产本体着色玻璃时,被还原的金属会形成金属碳化物,使玻璃产生不合乎需要的色调,所以现在很少使用石墨电极。铂电极抗氧化能力强,不污染玻璃,是一种很好的电极材料,但价格昂贵,民用玻璃很少采用。钼电极熔点高2625℃,表面为玻璃液所湿润,两者接触电阻小,电极表面允许较大的电流密度,较小的电极就可向玻璃液输送较大的电流。另外,机械强度大,易加工,不污染玻璃,是目前应用最广泛的电极材料。选择钼电极时,一定要严格控制杂质含量(尤其是碳的含量),否则玻璃液中会产生气泡。另外,钼电极经常处于高温状态时,会由于再结晶而变脆,所以往窑内推进电极时要格外小心。值得注意的是:玻璃成分中含有氧化铅、三氧化二砷或三氧化二锑时,不得选用钼电极,原因是它们遇到钼会发生还原反应,还原出来的铅、砷和锑与钼生成低熔点化合物,使钼电极遭受侵蚀的同时而污染玻璃液,还会在玻璃液中产生线道。环境温度超过600℃ 时,钼会发生强烈的氧化反应,所以使用钼电极时必须加以保护(干法或湿法),使其在高温时不和空气接触。氧化锡电极是一种陶瓷材料,它具有化学稳定性好、耐火温度高、热膨胀系数小等优点,但热冲击较差,在还原状态下热稳定性差。使用温度不宜超过1500℃,在1500℃以上,氧化锡的挥发速度增大。5合理布置电极合理分配电能合理地布置电极、分配电能有助于能量的释放和温度的分布,是得到高质量玻璃液的关键。电熔窑熔化玻璃时,整个熔窑沿流程分成5个阶段:硅酸盐形成阶段、玻璃液形成阶段、玻璃液澄清阶段、玻璃液均化阶段和玻璃液冷却阶段。配合料从投料到出料依次经过各阶段。 配合料首先进入硅酸盐形成阶段,对于普通钠钙硅玻璃来讲,该带的温度是800—1000℃。配合料在此发生物理、化学反应,大部分气体产物从此逸出。这个阶段结束时,配合料变成了不透明烧结物和游离的SiO2。 玻璃形成阶段的温度一般在 1200℃,不透明的硅酸盐烧结物进入后开始熔融,首先是那些易熔的低共熔物开始熔化,结束时,不透明的硅酸盐烧结物变成了含有气泡和小颗粒等的玻璃液。 澄清阶段的任务是消除气泡组织。玻璃液形成阶段结束时,整个熔融体包含许多气泡和灰泡(小气泡)从玻璃液中除去肉眼可见的气体夹杂物,消除玻璃中的气孔组织。当温度升高,玻璃液粘度迅速降低,使气泡大量逸出。因此,澄清过程必须在较高温度下进行。一般在1500℃左右。玻璃液均化阶段的任务是消除不均体。玻璃形成后,各部分玻璃液的化学成分和温度都不相同,还夹杂一些不均体。为消除不均体,获得均匀一致的玻璃液,必须均化。玻璃液均化主要依靠扩散和对流作用。高温是一个主要的条件,因为它可以减小玻璃液粘度,使扩散作用加强。温度一般在1500℃左右。冷却带的任务是增加玻璃液粘度,准备成型。温度在200—300℃之间【3】在整个熔化过程中,各带有其自己的特点,但它们之间又彼此密切相连,相互影响。所以,布置电极和分配电能时,既要突出重点又要全盘考虑。总的原则是要形成枣核状,中间大两头小,把主要能量集中到熔化带。硅酸盐形成带需要的温度低,不需用太多的能量。尽管澄清带需要较高的温度,但此时化学反应早已完成,且进入的玻璃液温度已较高,不用太多的能量就能达到需要的温度。冷却带的电能分配主要考虑投产需要即可,正常生产时用于该处的能量要尽量小,让玻璃从澄清温度液渐渐地降到成型温度(粘度)。【2】6确定玻璃液的电阻确定电极之间玻璃液的电阻是设计电熔窑的难点。由下式可见当功率一定时,玻璃液的电阻是选择隔离变压器次级电压的唯一依据。V=(QR)1/2 式中:V为施加在电极之间的电压;Q为施加在电极上的功率;R为电极之间的电阻。 若不能较准确地确定电极之间的电阻,就会给后续工作带来很大麻烦,严重时电熔窑无法运行。如施加在电极上的电压过小时,电能送不进去,电熔窑无法运行;电压太大时,变压器的电流会超负荷,必须对变压器强制冷却才能工作,严重时甚至烧毁变压器。正规的方法是通过模拟确定电极间的电阻。实际设计中一般根据经验确定,选择隔离变压器时要留一定的余地。在电极参数及相对位置固定的情况下,玻璃成分是决定电极间电阻的唯一因素。玻璃液主要靠一价碱金属离子导电,一价碱金属离子含量的高低直接影响玻璃液电阻率的大小。值得注意的是高碱玻璃,特别是氟化物乳浊的高碱玻璃的电阻率偏低;高硼硅玻璃的一价碱金属含量很低,在普通玻璃中被钾、钠氧化物切断的SiO2网络结构中的网目在高硼硅玻璃中被硼氧四面体连接起来,对一价碱金属离子的运动有一定的阻碍作用,所以电阻率偏高。7电熔窑的发展趋势在近20年来,(1) “混合熔化”观念日益受到重视。混合熔化是指:先在熔融的配合料内部通电加热生产大约一半产量的玻璃,再在配合料上方用燃料加热生产另一半产量的玻璃。其目的是要降低每吨玻璃所需热量的总成本,同时保持着像电熔窑玻璃一样的质量。(2)另一项新发展是用电熔窑熔化铅晶质玻璃,供机器和手工生产高级餐具使用。(3)电加热料道得到了很大的推广。(4)第四项新发展是采用了“微型电熔窑”,用来生产优质玻璃,其熔化量可以低到10lg/h。尽管目前用电能熔化玻璃比火焰熔化玻璃的成本高,但电熔窑产量高,质量好,易于自控,另外,对于含有易挥发组分(氧化铅、硼砂、硼酸等)的玻璃,从技术和经济观点来看,采用电熔窑更可取。因为电熔窑可在很大程度上减少这些物质的挥发,在经济上得益的同时,减少了对大气的污染 。随着水电、核能的开发利用,电价会越来越低,所以电熔窑有着美好的前程。参考文献: 陈金方。玻璃的电熔化与电加热。上海。华东理工大学出版社。 耿海棠。浅谈对玻璃电熔窑设计的一些看法。秦皇岛玻璃研究院。 玻璃工业热工设备。武汉大学出版社。

关于玻璃论文的参考文献有哪些

如果你不知道如何写,但是又急着交。一个非常简便的方法,就是去知网上面找你要写的那方面的硕士论文,上面有完整的文献综述(那最好,你稍稍改动即可),如果是开题报告形式,你就可以找好它上面的内容(其实跟文献综述写的内容差不多,只是格式和形式不太一样)。你按照以下的提纲自己复制粘贴内容即可(我们这学期写了一篇文献综述),也有可能每个学校的要求提纲不太一样,不过都是差不多的不用太担心,主要是内容要找准: 论文题目:一般不超过25个字,要简练准确,副标题统一为“文献综述及研究思路”可分两行书写; 摘要:中文摘要字数应在300字左右,英文摘要与中文摘要内容要相对应; 关键词:关键词以3—5个为宜,应该尽量从《汉语主题词表》中选用,分号隔开; 正文:正文要符合一般学术论文的写作规范,内容层次分明,数据可靠,文字简练,观点正确,能运用现代经济学、管理学的分析方法,并能学会利用计量经济学、统计学等相关工具对所涉及的问题进行分析,文章主体字数为4000字以上。正文基本结构如下: 一、选题背景及选题意义 二、有关国内外研究成果综述 (一)国外研究成果 (二)国内研究成果 (三)对研究成果的评述(这个地方就不要把引用的写出来了,我被我们老师就批了) 三、基本研究思路(最好有图,把你参考的文章所有的提纲画一个简易图即可,不单是自己的文献综述,是你参考的整篇论文的内容) 四、研究方法及创新处 参考文献:参考文献应按文中引用出现的顺序列出,只列出作者直接阅读过、在正文中被引用过的文献资料,一律列在正文的末尾,特别在引用别人的科研成果时,应在引用处加以说明。每篇论文的参考文献一般不应少于五条。 希望对你有用~~

模拟下雨我知道,下雨是由天气干旱,蒸气往上飘而形成的。 今天科学课上,老师让我们回家做一个小实验《造雨》,并详细地讲解了如何造雨。回到家的第一件事,当然就是做实验了。我先从冰箱里拿出几块冰,把冰放进一个玻璃杯里,在玻璃杯口上放一个玻璃罩,把玻璃杯放到阳台上。可我等了好一会儿,还不见雨滴,真有点恼火,我拿起话筒,打给我的同学黄秋阳,问他实验有没有成功?他回答没成功。我又打给了其他几位同学,实验成功了没有?同样,他们也没有成功。我不信,又埋起头来,看起科学书。一看书,我才知道,实验没有成功的原因是什么?由于傍晚的太阳光太弱啦!水蒸气没法增加。怎么办呢?我思来想去,很快就找到了增加水蒸气的办法,请妈妈帮助在煤气灶上加热。这样,玻璃杯里就起雾了。真是功夫不负有心人,雾很快就变成了小水点儿,聚集在玻璃罩下面,不一会儿,雨就“滴答滴答”地下起来了。我高兴地直喊:“我成功了,我成功了!”妈妈看了,也很高兴,直夸我肯动脑筋。 经过这件事,我受到了很大启发:要做好一件事,遇到困难不要气馁,多学习,多想办法,敢于实践,就能获得成功。

本科毕业设计(论文)  文献综述  院 (系):  专 业:  班 级:  学生姓名: 学 号:  年 月 日  本科生毕业设计(论文)文献综述评价表  毕业设计(论文)题目  综述名称 注意综述名称(综述内容中不要出现本课题怎么样等等)  评阅教师姓名 职称  评 价 项 目 优 良 合格 不合格  综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范  综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果  03 文字通顺、精练、可读性和实用性强  04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等  参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求,格式符合规范  06 围绕所选毕业设计(论文)题目搜集文献  成绩  综合评语:  评阅教师(签字):  年 月 日  文献综述: 小四号宋  空一行  标题 二号黑居中  空一行  1 XXX 三号黑  XXX 小四号宋,行距20磅  1 XXXX 小三号黑  XXX 小四号宋,行距20磅  1 XXX 四号黑  XXX 小四号宋,行距20磅  空一行  2 XXXX 三号黑  (空1行)  参 考 文 献  (空1行)  [要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写,例如:]  [1] 袁庆龙,候文义.Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究[J].太原理工大学学报,2001,32(1):51-53 .(宋体五号,行距固定值20磅)  [2] 刘国钧,王连成.图书馆史研究[M].北京:高等教育出版社,1979:15-18,31.  下面的是我的文献综述  文献综述:  FTO透明导电薄膜的溅射法制备  1 前言  为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作,在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料,完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟,导电玻璃的制备方法也越来越成熟,种类也衍生得越来越多。  本文章将对国内外的制备方法,种类,发展现状及趋势,工艺性能,退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。  2透明导电玻璃的种类及制备方法简介  1透明导电玻璃的种类  1 1 TCO导电玻璃  TCO(Transparent Conductive Oxide)玻璃,即透明导电氧化物镀膜玻璃,是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。  2 ITO透明导电玻璃  ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。  3FTO透明导电玻璃  FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F),简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品,广泛用于液晶显示屏,光催化,薄膜太阳能电池基底等方面,市场需求极大 FTO玻璃因其特殊性,在染料敏化太阳能电池,电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求,其综合性能常用直属FTC来评价:FTC=T10/RS。T是薄膜的透光率,RS是薄膜的方阻值;在光学应用方面,则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是:①表面方阻低,②透光率高,③面积大、重量轻,④易加工、耐冲击。  2FTO透明导电玻璃制备方法  FTO透明导电玻璃的制备方法有,物理方法:溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等;化学方法:喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法![1]化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够,溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺,只有磁控溅射法和溶胶-凝胶法。特别是,溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。  1磁控溅射法镀膜:  溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面,使靶材的原子被轰击出来,溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。  目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。  2真空蒸发镀膜:  真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa,用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片,并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言,其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径:(1)直接蒸发氧化物;(2)采用反应蒸发镀,即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物;(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。  3溶胶-凝胶法:  溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化,再将凝胶低温处理变为氧化物的方法,是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中,以均匀速度将其提拉出来,在含有水分的空气中发生水解和聚合反应,最后通过热处理形成所需薄膜;而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。  4化学气相沉积法:  化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面,是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足:(1)在沉积温度下,反应物必须有足够的蒸汽压;(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外,其余必须为气态;(3)沉积物的蒸汽压应足够低,以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上,但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多,包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。  化学气相沉积技术的主要特点包括:设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强;适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜:由于设备简单,薄膜制备的成本也比较低。但是,薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。  5喷雾热分解法:  喷雾热分解法是化学法成膜的一种,其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化,然后输送到基片表面,在高温作用下,前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应,在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有:压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气,所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应,基片温度一般在300℃以上,在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有:载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等[2]。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制[3]。  3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势  1FTO透明导电玻璃的研究现状  自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜,引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高,化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜,ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系,其中以In203:Sn(ITO),SnO2 :F(FTO)和ZnO:Al(ZAO)最具代表性,这些薄膜具有高载流子浓度(1018~1021cm-3)和低电阻率(10-3~1O-4Ω•cm),且可见光透射率8O%~90%,使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。[4] 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2:F(FTO)2类,ITO由于其透明性好,电阻率低,易刻蚀和易低温制备等优点,一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好,生产设备简单,生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中,具有很大的优势[5]。  Sn02:F(FTO)掺杂体系是一种n型半导体材料,表现出优良的电学和光学性能,并且耐腐蚀,耐高温,成本低,化学稳定性好,是现在研究较多,应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等[6]采用喷雾热解法,以NH4F、SnCl2•2H20为原料,在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到2Ω/口,可见光透光率为95%的FTO薄膜,且薄膜晶粒均匀,表面形貌平整致密。Yadav等[7]采用喷雾热解法,制备了不同厚度的FTO薄膜,最低电阻率达到91 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等[8]采用喷雾热解法,制备了不同掺F浓度的FTO薄膜,研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学,结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组[9、10]将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极,并获得较高的光电转换效率。  射频溅射:  射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13.56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是,从阴极发出的电子,经过电场的加速后获得足够的能量,可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面,溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚,最终成膜。  直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备,因为绝缘材料在受到正离子轰击时,靶材表面的正离子无法中和,使靶表面的电位逐渐升高,导致阴极靶与阳极问的电场减小,当靶表面电位上升到一定程度时,可以使气体无法电离,溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合,电极和靶材并不需要是导体,射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压,当溅射处于上半周时,由于电子的质量比离子的质量小很多,故其迁移率很高,用很短时间就可以飞向靶面,中和其表面积累的正电荷,从而实现对绝缘材料的溅射,并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子,使其表面因空间电荷而呈现负电位,导致在射频溅射正半周期,也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期,均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面,可以提高溅射速度。[11]  用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2:F薄膜,系统的本底真空度为10-3Pa.溅射所用陶瓷靶是由纯度为99%SnO2和NH4F,粉末经混合、球磨后压制成坯,再经1300℃烧结而成,靶中NH4F的重量比是78%,用纯度为99.99% 的氩气和氧气作为工作气体,由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中,控制真空室内氩气压强为1Pa,氧分压为5—5 Pa,靶与衬底间的距离为5cm.溅射功率为150W,溅射时间为25 min,衬底温度为100℃。用RIGAKU D/MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长,154178 nm)测试样品的结构,用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌,使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱,使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱,使用普通的万电表测试它的导电性(前提是尽量保持测量条件的一致性)。  2FTO透明导电玻璃的应用  FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能,被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等,与生活息息相关。  1在薄膜太阳电池上的应用  太阳能电池是利用光伏效应,在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一,可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells,DSCS)[12]等的透明电极,对它的要求是:具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□);高阳光辐射透过率,即吸收率与反射率要尽可能低;化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中,透明导电膜充当电极,具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。  2在显示器上的应用  显示器件能将外界事物的光、声、电等信息,经过变换处理,以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中,薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点,引起广泛关注,并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性,因此被广泛用作平板显示器的透明电极。  3在气敏元件上的应用  气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件,与气体相互作用时产生表面吸附或反应,引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点,更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展,传感器不断向智能化、微型化方向发展。[13]  4在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用  喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃,对可见光高透射,但对红外光高反射,其反射率大于70%。让阳光中可见光部分透过,而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的,但可将红外部分的热能辐射反射回去,能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性,可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。  3 FTO透明导电玻璃的发展趋势  随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高,人们对透明导电氧化物(TCO)薄膜的要求越来越严格,至少需要满足如下条件:  (1)导电性能好,电阻率较低;  (2)可见光内透光率较高:  (3)镀膜温度更接近室温,能大面积均匀地镀膜;  (4)膜层加工性能好,可以进行高精度低损伤腐蚀;  (5)热稳定性及耐酸、碱性优良,硬度高;  (6)表面形状良好,没有针孔;  (7)价格较低,可实现大规模工业化生产。  目前,TCO薄膜已普遍达到下列水平:膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级,在可见光区透光率达80%,载流子迁移率一般达到40cm2/(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要,但随着器件性能的不断提升,对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标:禁带宽度>3 eV,直流电阻率~5×10-5 Ω•cm,可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1,载流子迁移率>100 cm2/(v•s)。  几十年来,人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2:F(TFO)透明导电薄膜由于其兼备低电阻,高的可见光透过率,近红外高的反射率,优良的膜强度和化学稳定性等优点,越来越受到人们的青睐,必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单,操作方便,利于控制。成本较低,原料易得,但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟,这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。  4 制备条件对膜结构及光电性能的影响  长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验,发表了文献[14],并在文献14中得出了1——3的结论。  1制备条件对膜厚的影响  文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜,当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时,薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm,即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm/min左右,为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长,及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。  2制备条件对膜结构的影响  晶体质量随溅射功率的增大而降低,随溅射气压的增大而降低。  3制备条件对膜光电性质的影响  在固定溅射总气压的条件下,增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度,增大薄膜的载流子浓度。  4 退火对薄膜的影响  退火能显著提高薄膜晶体质量,并增强薄膜的PL发光强度和导电能力,其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。[15]  5 退火后处理对膜结构与成分的影响  光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关,退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化,有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流,对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。[16]分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析,发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ,而惰性气氛退火薄膜表面较为致密,结构分析不仅观察到金红石结构的 ,还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明,氧化性气氛退火后,薄膜成分单一,未氧化的 完全氧化成稳定的 ,而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言,惰性气氛退火后,薄膜表面 、 和 共存,表面化学吸附氧和吸附水较明显,薄膜的稳定性降低。[17]  6 FTO导电玻璃制备相关参数  根据范志新等所提出的理论表达式: 带入相关数据可得到,SnO2:F(FTO)的最佳掺杂含量为54%[18]通过对比总结,参考大量数据,选择溅射功率:100W,溅射压力:5Pa,溅射时间:5h,溅射靶距:38mm[13、19]做产品。进行相关参数的选择与优化。  7 参考文献  1、张志海, 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学  2、汪振东, 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>:F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学  3、郝喜红, 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学  4、张明福等, 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光  5、方俊 杨万莉, n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷  6、苗莉等, SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报  7、Yadav A A,Masumdar E U,Moholkar A V,et a1.Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J].Physiea B:Condensed Matter,2009,404(12—13):1874 - 1877.  8、Moholkar A V,Pawar S M,Rajpure K Y,et a1.Effect of fluorine doping on highly transparent conductive spray deposited nanocrystalline tin oxide thin films[J].Applied Surface Science,2009,255(23):9358—9364.  9、Dai S,Wang K,Weng J,et a1.Design of DSC panel with efficiency more than 6%[J1.Solar Energy Materials and Solar Ceils,2005,85(3):447—455.  10、Huo Z,Dai S,Wang K,et a1.Nanocomposite gel electrolyte with large enhanced charge transport properties of an 13-/I- redox couple for quasi-solid-state dye-sensitized solar cells[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,2007,91(20):1959-1965.  11、王璟和,射频溅射法制备透明导电陶瓷薄膜 天津大学  12、姜磊等, 染料敏化太阳电池研究进展 内蒙古大学学报(自然科学版)  13、曾志峰等, 射频溅射法制备掺杂SnO2纳米薄膜的研究 武汉大学学报(理学版)  14、段理、樊小勇等, 磁控溅射制备银掺杂 薄膜结构及光电性质研究 材料导报(研究篇)  15、SunLL,TanO K,ZhuW G,et a1.Pb(Zro 3Ti0. 7)03/Pb-TiO3 multilayer thin films for pyroelectric infrared sensorapplication[J].J Appl Phys,2006,99(9):09410  16、顾锦华、钟志有等, 真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响 中南民族大学学报(自然科学版)  17、王磊、杜军等, 退火气氛对SnO2薄膜结构与成分的影响 材料导报  18、范志新等, 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式 电子器件  19、刘庆业等, 射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 广西师范大学学报(自然科学版)

给你份电熔窑的设计综述吧4㎡电熔窑炉的设计综述摘要:简述了玻璃电熔窑的优点,分析了小型电熔窑的结构,列举了常用电极的特点,提出布置电极,分配电能的一般原则。简述了选择耐火材料的目的及确定电极间玻璃液电阻的方法。1前 言玻璃在高温时是一种电导体。熔融玻璃液含有碱金属钠、钾离子,它具有导电性能。当电流通过时,会产生焦耳热,若热量足够大,则可以用来融化玻璃,这就是所谓的“玻璃电熔”。【1】从使用效果看,电熔窑优点突出,表现为:熔化率高(可高达80%—85%)、结构简单、自动化程度高和劳动环境好,且熔制出的玻璃成分均匀,产品质量高。试从以下几方面阐述一下对玻璃电熔窑设计中的一些看法。2选择合理的熔窑结构选择熔窑结构是设计电熔窑的第一步。电熔窑消耗的电能分为两部分:一部分为有功电能,是指用于熔化玻璃所消耗的电能;另一部分为无功电能。无功电能又分为两部分,一是主动浪费的电能,如电极冷却水、池壁冷却风等带走的热量;二是被动浪费的电能,如池壁散失的热量等。要提高电熔窑的热效率,唯一的办法就是减少被动浪费的热能。从池壁散失的热量(无论是通过传导,还是通过辐射)均和池壁面积成正比,也就是说,为了提高热效率,在工艺允许的情况下,池壁面积越小越好。电熔窑的结构形式多种多样,如以老式平板池窑为基础的、保持在熔制过程中水平流程不变的Borel窑,,WKonig窑,Gell公司的用流液洞相连的双室垂直窑等。从理论上讲,要达到表面积最小,窑的外形最好是球形,其次是圆柱形。但球形和圆柱形建造困难,为了使建造易行,近年来在实际生产中多设计成六角形。为了防止未熔化好的粉料进入料道并减少回流,用流液洞把熔化部和工作部深层分隔,使熔化好的玻璃液通过流液洞、上升道和料道到达工作部。【2】3选择合适的耐火材料相对于火焰表面加热的熔窑来说,电熔窑产量大、熔化温度高,玻璃液对池壁冲刷厉害。应选用高质量的耐火材料。如:应具有较高的耐玻璃液冲刷能力和侵蚀能力,在操作温度下具有较高的电阻率(耐火材料传导电流会加速对其侵蚀)等。选择耐火材料并非所有部位都采用高质量的耐火材料,而是按照冲刷速度和温度高低合理搭配耐火材料,使各部位耐火材料寿命尽量一致,达到既节省投资又能保证窑龄。由于玻璃液对耐火材料的侵蚀与温度呈指数关系,一般把耐侵蚀性和较高的41#氧化法锆刚玉砖用在温度较高(如电极砖)和玻璃液流速大的部位(如流液洞)以及液面线附近。除窑顶外,其他部位均可选用33#或36# 锆刚玉。电熔窑一般是冷顶操作,上部空间温度不高,所以窑顶可选用高铝砖或粘土质耐火砖。4选择合理的电极电极是直接和玻璃液接触并把电能传递给玻璃液的元件。选择电极材料的原则是:抗氧化性强,足够的耐热性、不污染玻璃液,允许电流密度大,加工方便,造价低。可用作电极的材料有:石墨、铁、氧化锡、铂和钼等。各种电极性能不同,使用的场合也不同,有时不可互换,否则,不仅影响玻璃质量,还会造成重大事故。石墨电极密度比玻璃液小,损坏后漂浮于玻璃液面,易于发现和取出,价格也便宜。但石墨电极表面不易被玻璃液湿润,接触电阻较高,导致其允许表面电流密度低,另外,石墨和玻璃的某些成分发生氧化还原反应,尤其是用金属氧化物生产本体着色玻璃时,被还原的金属会形成金属碳化物,使玻璃产生不合乎需要的色调,所以现在很少使用石墨电极。铂电极抗氧化能力强,不污染玻璃,是一种很好的电极材料,但价格昂贵,民用玻璃很少采用。钼电极熔点高2625℃,表面为玻璃液所湿润,两者接触电阻小,电极表面允许较大的电流密度,较小的电极就可向玻璃液输送较大的电流。另外,机械强度大,易加工,不污染玻璃,是目前应用最广泛的电极材料。选择钼电极时,一定要严格控制杂质含量(尤其是碳的含量),否则玻璃液中会产生气泡。另外,钼电极经常处于高温状态时,会由于再结晶而变脆,所以往窑内推进电极时要格外小心。值得注意的是:玻璃成分中含有氧化铅、三氧化二砷或三氧化二锑时,不得选用钼电极,原因是它们遇到钼会发生还原反应,还原出来的铅、砷和锑与钼生成低熔点化合物,使钼电极遭受侵蚀的同时而污染玻璃液,还会在玻璃液中产生线道。环境温度超过600℃ 时,钼会发生强烈的氧化反应,所以使用钼电极时必须加以保护(干法或湿法),使其在高温时不和空气接触。氧化锡电极是一种陶瓷材料,它具有化学稳定性好、耐火温度高、热膨胀系数小等优点,但热冲击较差,在还原状态下热稳定性差。使用温度不宜超过1500℃,在1500℃以上,氧化锡的挥发速度增大。5合理布置电极合理分配电能合理地布置电极、分配电能有助于能量的释放和温度的分布,是得到高质量玻璃液的关键。电熔窑熔化玻璃时,整个熔窑沿流程分成5个阶段:硅酸盐形成阶段、玻璃液形成阶段、玻璃液澄清阶段、玻璃液均化阶段和玻璃液冷却阶段。配合料从投料到出料依次经过各阶段。 配合料首先进入硅酸盐形成阶段,对于普通钠钙硅玻璃来讲,该带的温度是800—1000℃。配合料在此发生物理、化学反应,大部分气体产物从此逸出。这个阶段结束时,配合料变成了不透明烧结物和游离的SiO2。 玻璃形成阶段的温度一般在 1200℃,不透明的硅酸盐烧结物进入后开始熔融,首先是那些易熔的低共熔物开始熔化,结束时,不透明的硅酸盐烧结物变成了含有气泡和小颗粒等的玻璃液。 澄清阶段的任务是消除气泡组织。玻璃液形成阶段结束时,整个熔融体包含许多气泡和灰泡(小气泡)从玻璃液中除去肉眼可见的气体夹杂物,消除玻璃中的气孔组织。当温度升高,玻璃液粘度迅速降低,使气泡大量逸出。因此,澄清过程必须在较高温度下进行。一般在1500℃左右。玻璃液均化阶段的任务是消除不均体。玻璃形成后,各部分玻璃液的化学成分和温度都不相同,还夹杂一些不均体。为消除不均体,获得均匀一致的玻璃液,必须均化。玻璃液均化主要依靠扩散和对流作用。高温是一个主要的条件,因为它可以减小玻璃液粘度,使扩散作用加强。温度一般在1500℃左右。冷却带的任务是增加玻璃液粘度,准备成型。温度在200—300℃之间【3】在整个熔化过程中,各带有其自己的特点,但它们之间又彼此密切相连,相互影响。所以,布置电极和分配电能时,既要突出重点又要全盘考虑。总的原则是要形成枣核状,中间大两头小,把主要能量集中到熔化带。硅酸盐形成带需要的温度低,不需用太多的能量。尽管澄清带需要较高的温度,但此时化学反应早已完成,且进入的玻璃液温度已较高,不用太多的能量就能达到需要的温度。冷却带的电能分配主要考虑投产需要即可,正常生产时用于该处的能量要尽量小,让玻璃从澄清温度液渐渐地降到成型温度(粘度)。【2】6确定玻璃液的电阻确定电极之间玻璃液的电阻是设计电熔窑的难点。由下式可见当功率一定时,玻璃液的电阻是选择隔离变压器次级电压的唯一依据。V=(QR)1/2 式中:V为施加在电极之间的电压;Q为施加在电极上的功率;R为电极之间的电阻。 若不能较准确地确定电极之间的电阻,就会给后续工作带来很大麻烦,严重时电熔窑无法运行。如施加在电极上的电压过小时,电能送不进去,电熔窑无法运行;电压太大时,变压器的电流会超负荷,必须对变压器强制冷却才能工作,严重时甚至烧毁变压器。正规的方法是通过模拟确定电极间的电阻。实际设计中一般根据经验确定,选择隔离变压器时要留一定的余地。在电极参数及相对位置固定的情况下,玻璃成分是决定电极间电阻的唯一因素。玻璃液主要靠一价碱金属离子导电,一价碱金属离子含量的高低直接影响玻璃液电阻率的大小。值得注意的是高碱玻璃,特别是氟化物乳浊的高碱玻璃的电阻率偏低;高硼硅玻璃的一价碱金属含量很低,在普通玻璃中被钾、钠氧化物切断的SiO2网络结构中的网目在高硼硅玻璃中被硼氧四面体连接起来,对一价碱金属离子的运动有一定的阻碍作用,所以电阻率偏高。7电熔窑的发展趋势在近20年来,(1) “混合熔化”观念日益受到重视。混合熔化是指:先在熔融的配合料内部通电加热生产大约一半产量的玻璃,再在配合料上方用燃料加热生产另一半产量的玻璃。其目的是要降低每吨玻璃所需热量的总成本,同时保持着像电熔窑玻璃一样的质量。(2)另一项新发展是用电熔窑熔化铅晶质玻璃,供机器和手工生产高级餐具使用。(3)电加热料道得到了很大的推广。(4)第四项新发展是采用了“微型电熔窑”,用来生产优质玻璃,其熔化量可以低到10lg/h。尽管目前用电能熔化玻璃比火焰熔化玻璃的成本高,但电熔窑产量高,质量好,易于自控,另外,对于含有易挥发组分(氧化铅、硼砂、硼酸等)的玻璃,从技术和经济观点来看,采用电熔窑更可取。因为电熔窑可在很大程度上减少这些物质的挥发,在经济上得益的同时,减少了对大气的污染 。随着水电、核能的开发利用,电价会越来越低,所以电熔窑有着美好的前程。参考文献: 陈金方。玻璃的电熔化与电加热。上海。华东理工大学出版社。 耿海棠。浅谈对玻璃电熔窑设计的一些看法。秦皇岛玻璃研究院。 玻璃工业热工设备。武汉大学出版社。

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[1] 李天文,刘鸿生,Modern Chemical Industry[J], 2004, 24(2), 62, 64, 70[2]冯博学,陈冲,何毓阳, 电致变色材料及器件的研究进展[J],功能材料,2004,2(35),145-150[3] HJByker, Electro [J] Acta, 46, (2001), 2015[4]OGlemser and HSnner, Z AA C[M], 1943, 252:144[5]OGlemser and CNaumann, Z AA Chem[M], 1951, 265:288[6]JRPlatt[J], J 1961, 34(3):862

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