有关芯片的论文题目怎么写的正确
从摩尔定律开始，然后微电子的工艺，材料，器件，电路，一点一点往上写。你需要的话我这有现成的。
集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 适合PCB的穿孔安装; 比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/24×50=1：86，离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 操作方便; 可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 组装可用共面焊接，可靠性高; BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。
好的，我给你一篇自己写，目前网上还没有公布的，。论文格式 当我们对一个问题研究之后，如何将其展现于众人面前是一个重要的工作。在这里我们结合具体的事例，给大家介绍科研的一个重要部分枣论文的一般格式及其注意事项。当然，要写出一篇好的论文，绝不是单单这么一个简要的介绍就够了，还需自己多写、多练。
不应该。论文中芯片性能也会查重芯片性能在一般情况下不会有太大变更，所以被引用也会变多。因此在论文中尽量避免出现芯片性能。芯片，又称微电路、微芯片、集成电路，是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片就是半导体元件产品的统称，是集成电路的载体，由晶圆分割而成。
有关芯片的论文题目怎么写的
《生物芯片技术》陈忠斌 第九章：生物芯片信号检测技术。第十章：生物芯片生物信息学。
工程硕士的学位论文的选题可以直接来源于生产实际或具有明确的生产背景和应用价值。学位论文选题应具有一定的先进性和技术难度，能体现工程硕士研究生综合运用科学理论、方法和技术手段解决工程实际问题的能力。学位论文选题可以是一个完整的集成电路工程项目，可以是工程技术研究专题，也可以是新工艺、新设备、新材料、集成电路与系统芯片新产品的研制与开发。学位论文应包括：课题意义的说明、国内外动态、设计方案的比较与评估、需要解决的主要问题和途径、本人在课题中所做的工作、理论分析、设计计算书、测试装置和试验手段、计算程序、试验数据处理、必要的图纸、图表曲线与结论、结果的技术和经济效果分析、所引用的参考文献等，与他人合作或前人基础上继续进行的课题，必须在论文中明确指出本人所做的工作。
英文参考文献可以上google scholar 中文参考文献 上知网，万方等数据库搜一下
军+解读说句实话题意不去的问题是基塔的问题吗你想聊什么样啊哈啊！
有关芯片的论文怎么写
基于stm32f103芯片设计ad转换电路进行析说说具体写作要求
资料含有知识产权，不可随意发布····%E5%BC%82%E8%B4%A8%E7%BB%93%E6%9C%89%E6%9C%BA%E5%A4%AA%E9%98%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0%E6%80%A7%E8%83%BD%E6%8F%90%E9%AB%98%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A9%Bpdf这个文档你看看吧。也许有用由于技术进入门槛高，投资收益高、持续时间长，电池新材料领域成为企业尤其是上市公司扩大利润来源、提升业绩的重点产品之一。电池正极、负极材料、电解液市场已相对成熟，而锂电池隔膜的国产化过程蕴含着较大的市场机会；太阳能电池市场发展迅速，技术不断进步，有机材料将是太阳能电池材料的首选，市场潜力巨大；燃料电池材料市场资金投入不足，材料制备和技术工艺有待突破。全球市场现状(1)电池市场增长迅速，带动电池新材料市场成长 随着全球经济发展对能源材料需求增加，以及手机、笔记本电脑、数码相机、摄像机、汽车等产品对新型、高效、环保能源材料的强劲需求，全球锂电池、太阳能电池、燃料电池发展迅速，从而带动了相关材料产业的发展，电池新材料市场稳步成长。从市场规模看，2000年全球电池新材料市场规模为8亿美元，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为3％。 (2)锂电池材料市场规模受价格变动略有波动，市场份额基本稳定 在锂电池市场增长的拉动下，锂电池材料整体市场呈上升趋势。2000年销售额为7亿美元，但由于价格的波动，2001年降为9亿美元，之后有所上升，2004年达到8亿美元，2000～2004年复合增长率为4％。在锂电池材料细分市场，价格的下降造成锂电池部分材料销售额的下降。从锂电池材料细分市场份额看，正极材料、负极材料、电解液、隔离膜用材料所占市场份额基本稳定。 (3)太阳能电池市场规模上升，对硅材料需求增长 在太阳能电池中，硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。随着全球太阳能电池的广泛应用，太阳能电池硅材料需求增加。在太阳能电池重要原材料硅片市场，全球市场继续保持上升趋势，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为6％。 (4)燃料电池发展潜力受关注，关键材料和工艺有待突破 燃料电池因具有能量密度高、无须充电、长时间使用、低噪声、低污染等特点，目前受到极大的重视。由美国发起建立的氢能经济国际合作组织（IPHE），经过巴西、加拿大、中国、日本、韩国、英国等国加盟之后，成为协调氢燃料研究及技术开发的国际机制。2003年全球有超过1000家企业及研究机构参与燃料电池材料、组件及系统技术研发。2004年全球燃料电池材料市场规模达到2亿美元。 在材料方面，催化剂、导电膜和双极板的供应、材质是影响未来燃料电池市场成长的因素。以质子交换膜材料为例，全球主要燃料电池开发国家均投入相当大的人力和物力研究开发质子交换膜，但大多局限在几种过去已知的质子交换膜材料种类上。由于现阶段这些质子交换膜特性无法完全满足实际应用的要求，目前技术的进展离大规模应用尚有一段距离。未来产品趋势(1)锂钴镍氧化物、纳米化碳材、有机电解液混合使用、薄型化隔离膜是未来锂电池材料的发展方向 在锂电池正极材料方面，可供选择的材料有钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMnO4)及上述复合氧化物等，未来锂钴镍氧化物有可能取代目前锂钴氧化物的正极材料。 目前常用的负极材料是中间相碳微球，具有球状结构、堆积密度大、具有层状分子平行排列结构，是锂电池负极代表性材料，未来可能采用纳米化碳材(Nano-sized Carbon Materia1)。 电解液方面，近年来主要发展趋势是将多种不同性质的有机电解液加以混合使用，例如低黏度的二甲基乙烷(DME)、二甲基碳酸盐(DMC)及二甲基亚砜(DMSO)等。 隔离膜材料一般采用聚乙烯、聚丙烯或其它树脂多孔膜，技术趋势在于薄型化。 (2)硅太阳能电池暂居市场主导，薄膜太阳能电池成为未来市场主流 由于光电能转换效率较其它种类的太阳电池高，硅太阳能电池现在仍然是太阳能市场的主流。非晶硅太阳能电池长期使用时稳定性有问题；CdS/CdTe效率和非晶硅太阳能电池差不多，但有环保问题：另外CIS(Copper Indium Selenide)经济效益不高，短期内实现商品化有困难，化学太阳能电池使用期限及稳定性都有问题。由于薄膜太阳能电池具有低生产成本的特性，且具有适于大面积制造的优势，故长期而言，薄膜太阳能电池可能成为市场主流。 (3)燃料电池触媒材料：多孔结构、高效、高活性、高分散性 燃料电池的电极是燃料发生氧化反应与还原剂发生还原反应的电化学反应场所，其性能的好坏关键在于触媒的性能、电极的材料与电极的制造等。燃料电池触媒材料的多孔结构能提高燃料电池的实际工作电流密度与降低极化作用，增加参与反应的电极表面积。以DMFC触媒为例。现阶段DMFC触媒主要是采用贵金属基触媒，而贵金属基触媒的成本高、催化活性不理想。因此，高效、高活性、高分散性是燃料电池触媒材料的发展方向。
集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 适合PCB的穿孔安装; 比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/24×50=1：86，离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以5mm焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：8，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 操作方便; 可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: I/O引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 组装可用共面焊接，可靠性高; BGA封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按5mm焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:1的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。
有关芯片的论文题目怎么写的高中
资料含有知识产权，不可随意发布····%E5%BC%82%E8%B4%A8%E7%BB%93%E6%9C%89%E6%9C%BA%E5%A4%AA%E9%98%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0%E6%80%A7%E8%83%BD%E6%8F%90%E9%AB%98%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A9%Bpdf这个文档你看看吧。也许有用由于技术进入门槛高，投资收益高、持续时间长，电池新材料领域成为企业尤其是上市公司扩大利润来源、提升业绩的重点产品之一。电池正极、负极材料、电解液市场已相对成熟，而锂电池隔膜的国产化过程蕴含着较大的市场机会；太阳能电池市场发展迅速，技术不断进步，有机材料将是太阳能电池材料的首选，市场潜力巨大；燃料电池材料市场资金投入不足，材料制备和技术工艺有待突破。全球市场现状(1)电池市场增长迅速，带动电池新材料市场成长 随着全球经济发展对能源材料需求增加，以及手机、笔记本电脑、数码相机、摄像机、汽车等产品对新型、高效、环保能源材料的强劲需求，全球锂电池、太阳能电池、燃料电池发展迅速，从而带动了相关材料产业的发展，电池新材料市场稳步成长。从市场规模看，2000年全球电池新材料市场规模为8亿美元，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为3％。 (2)锂电池材料市场规模受价格变动略有波动，市场份额基本稳定 在锂电池市场增长的拉动下，锂电池材料整体市场呈上升趋势。2000年销售额为7亿美元，但由于价格的波动，2001年降为9亿美元，之后有所上升，2004年达到8亿美元，2000～2004年复合增长率为4％。在锂电池材料细分市场，价格的下降造成锂电池部分材料销售额的下降。从锂电池材料细分市场份额看，正极材料、负极材料、电解液、隔离膜用材料所占市场份额基本稳定。 (3)太阳能电池市场规模上升，对硅材料需求增长 在太阳能电池中，硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。随着全球太阳能电池的广泛应用，太阳能电池硅材料需求增加。在太阳能电池重要原材料硅片市场，全球市场继续保持上升趋势，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为6％。 (4)燃料电池发展潜力受关注，关键材料和工艺有待突破 燃料电池因具有能量密度高、无须充电、长时间使用、低噪声、低污染等特点，目前受到极大的重视。由美国发起建立的氢能经济国际合作组织（IPHE），经过巴西、加拿大、中国、日本、韩国、英国等国加盟之后，成为协调氢燃料研究及技术开发的国际机制。2003年全球有超过1000家企业及研究机构参与燃料电池材料、组件及系统技术研发。2004年全球燃料电池材料市场规模达到2亿美元。 在材料方面，催化剂、导电膜和双极板的供应、材质是影响未来燃料电池市场成长的因素。以质子交换膜材料为例，全球主要燃料电池开发国家均投入相当大的人力和物力研究开发质子交换膜，但大多局限在几种过去已知的质子交换膜材料种类上。由于现阶段这些质子交换膜特性无法完全满足实际应用的要求，目前技术的进展离大规模应用尚有一段距离。未来产品趋势(1)锂钴镍氧化物、纳米化碳材、有机电解液混合使用、薄型化隔离膜是未来锂电池材料的发展方向 在锂电池正极材料方面，可供选择的材料有钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMnO4)及上述复合氧化物等，未来锂钴镍氧化物有可能取代目前锂钴氧化物的正极材料。 目前常用的负极材料是中间相碳微球，具有球状结构、堆积密度大、具有层状分子平行排列结构，是锂电池负极代表性材料，未来可能采用纳米化碳材(Nano-sized Carbon Materia1)。 电解液方面，近年来主要发展趋势是将多种不同性质的有机电解液加以混合使用，例如低黏度的二甲基乙烷(DME)、二甲基碳酸盐(DMC)及二甲基亚砜(DMSO)等。 隔离膜材料一般采用聚乙烯、聚丙烯或其它树脂多孔膜，技术趋势在于薄型化。 (2)硅太阳能电池暂居市场主导，薄膜太阳能电池成为未来市场主流 由于光电能转换效率较其它种类的太阳电池高，硅太阳能电池现在仍然是太阳能市场的主流。非晶硅太阳能电池长期使用时稳定性有问题；CdS/CdTe效率和非晶硅太阳能电池差不多，但有环保问题：另外CIS(Copper Indium Selenide)经济效益不高，短期内实现商品化有困难，化学太阳能电池使用期限及稳定性都有问题。由于薄膜太阳能电池具有低生产成本的特性，且具有适于大面积制造的优势，故长期而言，薄膜太阳能电池可能成为市场主流。 (3)燃料电池触媒材料：多孔结构、高效、高活性、高分散性 燃料电池的电极是燃料发生氧化反应与还原剂发生还原反应的电化学反应场所，其性能的好坏关键在于触媒的性能、电极的材料与电极的制造等。燃料电池触媒材料的多孔结构能提高燃料电池的实际工作电流密度与降低极化作用，增加参与反应的电极表面积。以DMFC触媒为例。现阶段DMFC触媒主要是采用贵金属基触媒，而贵金属基触媒的成本高、催化活性不理想。因此，高效、高活性、高分散性是燃料电池触媒材料的发展方向。
单片机是指一个集成在一块芯片上的完整计算机系统。尽管他的大部分功能集成在一块小芯片上，但是它具有一个完整计算机所需要的大部分部件：CPU、内存、内部和外部总线系统，目前大部分还会具有外存。同时集成诸如通讯接口、定时器，实时时钟等外围设备。而现在最强大的单片机系统甚至可以将声音、图像、网络、复杂的输入输出系统集成在一块芯片上。 单片机也被称为微控制器（Microcontroler），是因为它最早被用在工业控制领域。单片机由芯片内仅有CPU的专用处理器发展而来。最早的设计理念是通过将大量外围设备和CPU集成在一个芯片中，使计算机系统更小，更容易集成进复杂的而对提及要求严格的控制设备当中。INTEL的Z80是最早按照这种思想设计出的处理器，从此以后，单片机和专用处理器的发展便分道扬镳。 早期的单片机都是8位或4位的。其中最成功的是INTEL的8031，因为简单可靠而性能不错获得了很大的好评。此后在8031上发展出了MCS51系列单片机系统。基于这一系统的单片机系统直到现在还在广泛使用。随着工业控制领域要求的提高，开始出现了16位单片机，但因为性价比不理想并未得到很广泛的应用。90年代后随着消费电子产品大发展，单片机技术得到了巨大的提高。随着INTEL i960系列特别是后来的ARM系列的广泛应用，32位单片机迅速取代16位单片机的高端地位，并且进入主流市场。而传统的8位单片机的性能也得到了飞速提高，处理能力比起80年代提高了数百倍。目前，高端的32位单片机主频已经超过300MHz，性能直追90年代中期的专用处理器，而普通的型号出厂价格跌落至1美元，最高端的型号也只有10美元。当代单片机系统已经不再只在裸机环境下开发和使用，大量专用的嵌入式操作系统被广泛应用在全系列的单片机上。而在作为掌上电脑和手机核心处理的高端单片机甚至可以直接使用专用的Windows和Linux操作系统。 单片机比专用处理器最适合应用于嵌入式系统，因此它得到了最多的应用。事实上单片机是世界上数量最多的计算机。现代人类生活中所用的几乎每件电子和机械产品中都会集成有单片机。手机、电话、计算器、家用电器、电子玩具、掌上电脑以及鼠标等电脑配件中都配有1-2部单片机。而个人电脑中也会有为数不少的单片机在工作。汽车上一般配备40多部单片机，复杂的工业控制系统上甚至可能有数百台单片机在同时工作！单片机的数量不仅远超过PC机和其他计算的综合，甚至比人类的数量还要多。单片机介绍单片机又称单片微控制器，它不是完成某一个逻辑功能的芯片，而是把一个计算机系统集成到一个芯片上。概括的讲：一块芯片就成了一台计算机。它的体积小、质量轻、价格便宜、为学习、应用和开发提供了便利条件。同时，学习使用单片机是了解计算机原理与结构的最佳选择。 单片机内部也用和电脑功能类似的模块，比如CPU，内存，并行总线，还有和硬盘作用相同的存储器件，不同的是它的这些部件性能都相对我们的家用电脑弱很多，不过价钱也是低的，一般不超过10元即可用它来做一些控制电器一类不是很复杂的工作足矣了。我们现在用的全自动滚筒洗衣机、排烟罩、VCD等等的家电里面都可以看到它的身影！它主要是作为控制部分的核心部件。 它是一种在线式实时控制计算机，在线式就是现场控制，需要的是有较强的抗干扰能力，较低的成本，这也是和离线式计算机的（比如家用PC）的主要区别。 单片机是靠程序的，并且可以修改。通过不同的程序实现不同的功能，尤其是特殊的独特的一些功能，这是别的器件需要费很大力气才能做到的，有些则是花大力气也很难做到的。一个不是很复杂的功能要是用美国50年代开发的74系列，或者60年代的CD4000系列这些纯硬件来搞定的话，电路一定是一块大PCB板！但是如果要是用美国70年代成功投放市场的系列单片机，结果就会有天壤之别！只因为单片机的通过你编写的程序可以实现高智能，高效率，以及高可靠性！ 由于单片机对成本是敏感的，所以目前占统治地位的软件还是最低级汇编语言，它是除了二进制机器码以上最低级的语言了，既然这么低级为什么还要用呢？很多高级的语言已经达到了可视化编程的水平为什么不用呢？原因很简单，就是单片机没有家用计算机那样的CPU，也没有像硬盘那样的海量存储设备。一个可视化高级语言编写的小程序里面即使只有一个按钮，也会达到几十K的尺寸！对于家用PC的硬盘来讲没什么，可是对于单片机来讲是不能接受的。 单片机在硬件资源方面的利用率必须很高才行，所以汇编虽然原始却还是在大量使用。一样的道理，如果把巨型计算机上的操作系统和应用软件拿到家用PC上来运行，家用PC的也是承受不了的。 可以说，二十世纪跨越了三个“电”的时代，即电气时代、电子时代和现已进入的电脑时代。不过，这种电脑，通常是指个人计算机，简称PC机。它由主机、键盘、显示器等组成。还有一类计算机，大多数人却不怎么熟悉。这种计算机就是把智能赋予各种机械的单片机（亦称微控制器）。顾名思义，这种计算机的最小系统只用了一片集成电路，即可进行简单运算和控制。因为它体积小，通常都藏在被控机械的“肚子”里。它在整个装置中，起着有如人类头脑的作用，它出了毛病，整个装置就瘫痪了。现在，这种单片机的使用领域已十分广泛，如智能仪表、实时工控、通讯设备、导航系统、家用电器等。各种产品一旦用上了单片机，就能起到使产品升级换代的功效，常在产品名称前冠以形容词——“智能型”，如智能型洗衣机等。现在有些工厂的技术人员或其它业余电子开发者搞出来的某些产品，不是电路太复杂，就是功能太简单且极易被仿制。究其原因，可能就卡在产品未使用单片机或其它可编程逻辑器件上。单片机的应用领域目前单片机渗透到我们生活的各个领域，几乎很难找到哪个领域没有单片机的踪迹。导弹的导航装置，飞机上各种仪表的控制，计算机的网络通讯与数据传输，工业自动化过程的实时控制和数据处理，广泛使用的各种智能IC卡，民用豪华轿车的安全保障系统，录象机、摄象机、全自动洗衣机的控制，以及程控玩具、电子宠物等等，这些都离不开单片机。更不用说自动控制领域的机器人、智能仪表、医疗器械了。因此，单片机的学习、开发与应用将造就一批计算机应用与智能化控制的科学家、工程师。 单片机广泛应用于仪器仪表、家用电器、医用设备、航空航天、专用设备的智能化管理及过程控制等领域，大致可分如下几个范畴：在智能仪器仪表上的应用 单片机具有体积小、功耗低、控制功能强、扩展灵活、微型化和使用方便等优点，广泛应用于仪器仪表中，结合不同类型的传感器，可实现诸如电压、功率、频率、湿度、温度、流量、速度、厚度、角度、长度、硬度、元素、压力等物理量的测量。采用单片机控制使得仪器仪表数字化、智能化、微型化，且功能比起采用电子或数字电路更加强大。例如精密的测量设备（功率计，示波器，各种分析仪）。在工业控制中的应用 用单片机可以构成形式多样的控制系统、数据采集系统。例如工厂流水线的智能化管理，电梯智能化控制、各种报警系统，与计算机联网构成二级控制系统等。在家用电器中的应用 可以这样说，现在的家用电器基本上都采用了单片机控制，从电饭褒、洗衣机、电冰箱、空调机、彩电、其他音响视频器材、再到电子秤量设备，五花八门，无所不在。在计算机网络和通信领域中的应用 现代的单片机普遍具备通信接口，可以很方便地与计算机进行数据通信，为在计算机网络和通信设备间的应用提供了极好的物质条件，现在的通信设备基本上都实现了单片机智能控制，从手机，电话机、小型程控交换机、楼宇自动通信呼叫系统、列车无线通信、再到日常工作中随处可见的移动电话，集群移动通信，无线电对讲机等。单片机在医用设备领域中的应用 单片机在医用设备中的用途亦相当广泛，例如医用呼吸机，各种分析仪，监护仪，超声诊断设备及病床呼叫系统等等。此外，单片机在工商，金融，科研、教育，国防航空航天等领域都有着十分广泛的用途。学习应中六大重要部分单片机学习应中的六大重要部分 一、总线：我们知道，一个电路总是由元器件通过电线连接而成的，在模拟电路中，连线并不成为一个问题，因为各器件间一般是串行关系，各器件之间的连线并不很多，但计算机电路却不一样，它是以微处理器为核心，各器件都要与微处理器相连，各器件之间的工作必须相互协调，所以就需要的连线就很多了，如果仍如同模拟电路一样，在各微处理器和各器件间单独连线，则线的数量将多得惊人，所以在微处理机中引入了总线的概念，各个器件共同享用连线，所有器件的8根数据线全部接到8根公用的线上，即相当于各个器件并联起来，但仅这样还不行，如果有两个器件同时送出数据，一个为0，一个为1，那么，接收方接收到的究竟是什么呢？这种情况是不允许的，所以要通过控制线进行控制，使器件分时工作，任何时候只能有一个器件发送数据（可以有多个器件同时接收）。器件的数据线也就被称为数据总线，器件所有的控制线被称为控制总线。在单片机内部或者外部存储器及其它器件中有存储单元，这些存储单元要被分配地址，才能使用，分配地址当然也是以电信号的形式给出的，由于存储单元比较多，所以，用于地址分配的线也较多，这些线被称为地址总线。 二、数据、地址、指令：之所以将这三者放在一起，是因为这三者的本质都是一样的——数字，或者说都是一串‘0’和‘1’组成的序列。换言之，地址、指令也都是数据。指令：由单片机芯片的设计者规定的一种数字，它与我们常用的指令助记符有着严格的一一对应关系，不可以由单片机的开发者更改。地址：是寻找单片机内部、外部的存储单元、输入输出口的依据，内部单元的地址值已由芯片设计者规定好，不可更改，外部的单元可以由单片机开发者自行决定，但有一些地址单元是一定要有的（详见程序的执行过程）。数据：这是由微处理机处理的对象，在各种不同的应用电路中各不相同，一般而言，被处理的数据可能有这么几种情况： 1•地址（如MOV DPTR，#1000H），即地址1000H送入DPTR。 2•方式字或控制字（如MOV TMOD，#3），3即是控制字。 3•常数（如MOV TH0，#10H）10H即定时常数。 4•实际输出值（如P1口接彩灯，要灯全亮，则执行指令：MOV P1，#0FFH，要灯全暗，则执行指令：MOV P1，#00H）这里0FFH和00H都是实际输出值。又如用于LED的字形码，也是实际输出的值。 理解了地址、指令的本质，就不难理解程序运行过程中为什么会跑飞，会把数据当成指令来执行了。 三、P0口、P2口和P3的第二功能用法：初学时往往对P0口、P2口和P3口的第二功能用法迷惑不解，认为第二功能和原功能之间要有一个切换的过程，或者说要有一条指令，事实上，各端口的第二功能完全是自动的，不需要用指令来转换。如P6、P7分别是WR、RD信号，当微片理机外接RAM或有外部I/O口时，它们被用作第二功能，不能作为通用I/O口使用，只要一微处理机一执行到MOVX指令，就会有相应的信号从P6或P7送出，不需要事先用指令说明。事实上‘不能作为通用I/O口使用’也并不是‘不能’而是（使用者）‘不会’将其作为通用I/O口使用。你完全可以在指令中按排一条SETB P7的指令，并且当单片机执行到这条指令时，也会使P7变为高电平，但使用者不会这么去做，因为这通常这会导致系统的崩溃。 四、程序的执行过程： 单片机在通电复位后8051内的程序计数器（PC）中的值为‘0000’，所以程序总是从‘0000’单元开始执行，也就是说：在系统的ROM中一定要存在‘0000’这个单元，并且在‘0000’单元中存放的一定是一条指令。 五、堆栈： 堆栈是一个区域，是用来存放数据的，这个区域本身没有任何特殊之处，就是内部RAM的一部份，特殊的是它存放和取用数据的方式，即所谓的‘先进后出，后进先出’，并且堆栈有特殊的数据传输指令，即‘PUSH’和‘POP’，有一个特殊的专为其服务的单元，即堆栈指针SP，每当执一次PUSH指令时，SP就（在原来值的基础上）自动加1，每当执行一次POP指令，SP就（在原来值的基础上）自动减1。由于SP中的值可以用指令加以改变，所以只要在程序开始阶段更改了SP的值，就可以把堆栈设置在规定的内存单元中，如在程序开始时，用一条MOV SP，#5FH指令，就时把堆栈设置在从内存单元60H开始的单元中。一般程序的开头总有这么一条设置堆栈指针的指令，因为开机时，SP的初始值为07H，这样就使堆栈从08H单元开始往后，而08H到1FH这个区域正是8031的第二、三、四工作寄存器区，经常要被使用，这会造成数据的浑乱。不同作者编写程序时，初始化堆栈指令也不完全相同，这是作者的习惯问题。当设置好堆栈区后，并不意味着该区域成为一种专用内存，它还是可以象普通内存区域一样使用，只是一般情况下编程者不会把它当成普通内存用了。 六、单片机的开发过程： 这里所说的开发过程并不是一般书中所说的从任务分析开始，我们假设已设计并制作好硬件，下面就是编写软件的工作。在编写软件之前，首先要确定一些常数、地址，事实上这些常数、地址在设计阶段已被直接或间接地确定下来了。如当某器件的连线设计好后，其地址也就被确定了，当器件的功能被确定下来后，其控制字也就被确定了。然后用文本编辑器（如EDIT、CCED等）编写软件，编写好后，用编译器对源程序文件编译，查错，直到没有语法错误，除了极简单的程序外，一般应用仿真机对软件进行调试，直到程序运行正确为止。运行正确后，就可以写片（将程序固化在EPROM中）。在源程序被编译后，生成了扩展名为HEX的目标文件，一般编程器能够识别这种格式的文件，只要将此文件调入即可写片。在此，为使大家对整个过程有个认识，举一例说明： ORG 0000H LJMP START ORG 040H START： MOV SP，#5FH ;设堆栈 LOOP： NOP LJMP LOOP ；循环 END ；结束单片机学习目前，很多人对汇编语言并不认可。可以说，掌握用C语言单片机编程很重要，可以大大提高开发的效率。不过初学者可以不了解单片机的汇编语言，但一定要了解单片机具体性能和特点，不然在单片机领域是比较致命的。如果不考虑单片机硬件资源，在KEIL中用C胡乱编程，结果只能是出了问题无法解决！可以肯定的说，最好的C语言单片机工程师都是从汇编走出来的编程者因为单片机的C语言虽然是高级语言，但是它不同于台式机个人电脑上的VC++什么的单片机的硬件资源不是非常强大，不同于我们用VC、VB等高级语言在台式PC上写程序毕竟台式电脑的硬件非常强大，所以才可以不考虑硬件资源的问题。以8051单片机为例讲解单片机的引脚及相关功能;《单片机引脚图》40个引脚按引脚功能大致可分为4个种类：电源、时钟、控制和I/O引脚。⒈ 电源: ⑴ VCC - 芯片电源，接+5V；⑵ VSS - 接地端；注：用万用表测试单片机引脚电流一般为0v或者5v，这是标准的TTL电平，但有时候在单片机程序正在工作时候测试结果并不是这个值而是介于0v-5v之间，其实这之是万用表反映没这么快而已，在某一个瞬间单片机引脚电流还是保持在0v或者5v的。⒉ 时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。 ⒊ 控制线:控制线共有4根，⑴ ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲 ① ALE功能：用来锁存P0口送出的低8位地址 ② PROG功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，此引脚输入编程脉冲。 ⑵ PSEN:外ROM读选通信号。 ⑶ RST/VPD:复位/备用电源。 ① RST（Reset）功能：复位信号输入端。 ② VPD功能：在Vcc掉电情况下，接备用电源。 ⑷ EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。 ① EA功能：内外ROM选择端。 ② Vpp功能：片内有EPROM的芯片，在EPROM编程期间，施加编程电源Vpp。⒋ I/O线80C51共有4个8位并行I/O端口：P0、P1、P2、P3口，共32个引脚。P3口还具有第二功能，用于特殊信号输入输出和控制信号（属控制总线）
有关芯片制造的论文题目怎么写
课题1:推力滚子轴承外罩冲压工艺与(某一冲压工序)模具设计 指导教师:刘良瑞 推力滚子轴承外罩的材料:08或10，年产量:6万件 要求:设计推力滚子轴承外罩的冲压工艺;选某一冲压工序，完成该工序模具的设计计算工作;用AutoCAD绘制冲压工艺卡(绘图比例不作要求，打印在A4图纸上)两张，模具总装图(绘图比例1:1，打印在A3图纸上)一张，凸模，凹模，凸凹模或固定板零件图(绘图比例1:1，打印在A4图纸上)各一张;编写设计说明书(不少于4000字);上交电子文档和打印文档 课题2:我国模具制造的发展趋势 指导教师:刘良瑞 要求:进行调查研究，查阅中外文献，论点要鲜明，论据要充分，图文并茂;论文不少于5000字;上交电子文档和打印文档 课题3:冲裁模压力中心计算的快捷方法 指导教师:刘良瑞 要求:查阅中外文献，利用专业知识进行比较，分析，探求新的，快捷的计算方法，论据要充分，图文并茂;论文不少于5000字;上交电子文档和打印文档 课题4:金属手柄冲裁工艺与模具设计 指导教师:陈坚 工件名称:手柄 生产批量:中批量 材料:Q235-A钢 材料厚度:2mm 工件如下图所示: 设计要求: 1，对此工件进行成形工艺设计，包括工艺分析及选择方案，工艺计算，制定冲压工艺方案，确定模具结构尺寸和选择压力机; 2，编写冲压工艺过程卡片; 3，要求绘制冲模总装配图一张和部分主要零件图(包括落料凸模 ，冲孔凸模，凹模，导料板和卸料部件等零件图)各一张; 4，完成设计计算说明书一份(字数不少于5000字); 5，上交电子文档和打印文档 课题5:金属盖落料拉深工艺与模具设计 指导教师:陈坚 零件名称:盖 生产批量:大批量 材料:镀锌铁皮 厚度:1mm 设计任务: 1，对此工件进行成形工艺设计，包括工艺分析及选择方案，工艺计算，制定冲压工艺方案，确定模具结构尺寸和选择压力机; 2，编写冲压工艺过程卡片; 3，要求绘制冲模总装配图一张和部分主要零件图(包括落料凹模，凸凹模，卸料板和拉深凸模零件图)各一张; 4，完成设计计算说明书一份(字数不少于5000字); 5，上交电子文档和打印文档 课题6:落料凹模的制造 指导教师:郭胜 落料凹模材料Cr12，硬度60—64HRC 要求:根据落料凹模的图纸和质量技术要求，拟定合理的工艺方案，并对所拟定的工艺方案进行技术和经济效益的综合分析及评价，编制加工工艺卡(用AutoCAD绘制，打印在A4图纸上);根据拟定的工艺卡，能正确选用机床，刀具，夹具，量具等工艺装备和工艺参数，完成落料凹模的加工(在加工时，允许采用45钢代替，并可以不热处理); 编写工艺设计说明书(不少于3000字);上交电子文档和打印文档并提供样品 课题7:转子芯片冲头的制造 指导教师:郭胜 冲头材料DF—2， 60—62HRC(淬火温度800—850℃，油冷，回火温度180—225℃，60—62HRC，用作五金箔片冲压模，各种测规) 要求:根据转子芯片冲头的图纸和质量技术要求，拟定合理的工艺方案，并对所拟定的工艺方案进行技术和经济效益的综合分析及评价，编制加工工艺卡(用AutoCAD绘制，打印在A4图纸上);根据拟定的工艺卡，能正确选用机床，刀具，夹具，量具等工艺装备和工艺参数，完成导正销的加工(在加工时，允许采用45钢代替，并可以不热处理); 编写工艺设计说明书(不少于3000字);上交电子文档和打印文档并提供样品 课题8:塑料盖子注塑模设计 指导教师:黄常翼 材料:PP-R 收缩率:5% 技术要求:内表面拔模斜度5°，一模四件，零件顶部打标"HGZY+学号" 设计内容及要求:来源： 1)分析零件的成形工艺性，制品的基本参数的计算及注射机选用，模具类型及结构的确定; 2)模具和成型机械关系的校核; 3)模具零件的必要计算; 4)使用AutoCAD绘制模具装配图(绘图比例1:1，打印在A3图纸上)一张，绘制型腔，型芯及重要零部件零件图(绘图比例1:1，打印在A4图纸上)共五张; 5)编写设计说明书(不少于4000字); 6)要上交电子文档和打印文档 课题9:浅谈激光加工技术在模具制造中的应用 指导教师:黄常翼 要求:进行调查研究，查阅中外文献，论点要鲜明，论据要充分，图文并茂;论文不少于5000字，摘要200-300字，参考资料不少于5篇;上交电子文档和打印文档 课题10:垫圈冲孔—落料复合模设计 指导教师:舒剑峰 冲件名称:垫圈 冲件材料:10 冲压料厚:1mm
你的要求和悬赏不成比例，至少也要100起底嘛~~ 还有，像这种题目，答案超长超大的，你应该留个邮箱来接收别人给你的答案。
英文参考文献可以上google scholar 中文参考文献 上知网，万方等数据库搜一下
资料含有知识产权，不可随意发布····%E5%BC%82%E8%B4%A8%E7%BB%93%E6%9C%89%E6%9C%BA%E5%A4%AA%E9%98%B3%E8%83%BD%E7%94%B5%E6%B1%A0%E6%80%A7%E8%83%BD%E6%8F%90%E9%AB%98%E7%9A%84%E7%A0%94%E7%A9%Bpdf这个文档你看看吧。也许有用由于技术进入门槛高，投资收益高、持续时间长，电池新材料领域成为企业尤其是上市公司扩大利润来源、提升业绩的重点产品之一。电池正极、负极材料、电解液市场已相对成熟，而锂电池隔膜的国产化过程蕴含着较大的市场机会；太阳能电池市场发展迅速，技术不断进步，有机材料将是太阳能电池材料的首选，市场潜力巨大；燃料电池材料市场资金投入不足，材料制备和技术工艺有待突破。全球市场现状(1)电池市场增长迅速，带动电池新材料市场成长 随着全球经济发展对能源材料需求增加，以及手机、笔记本电脑、数码相机、摄像机、汽车等产品对新型、高效、环保能源材料的强劲需求，全球锂电池、太阳能电池、燃料电池发展迅速，从而带动了相关材料产业的发展，电池新材料市场稳步成长。从市场规模看，2000年全球电池新材料市场规模为8亿美元，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为3％。 (2)锂电池材料市场规模受价格变动略有波动，市场份额基本稳定 在锂电池市场增长的拉动下，锂电池材料整体市场呈上升趋势。2000年销售额为7亿美元，但由于价格的波动，2001年降为9亿美元，之后有所上升，2004年达到8亿美元，2000～2004年复合增长率为4％。在锂电池材料细分市场，价格的下降造成锂电池部分材料销售额的下降。从锂电池材料细分市场份额看，正极材料、负极材料、电解液、隔离膜用材料所占市场份额基本稳定。 (3)太阳能电池市场规模上升，对硅材料需求增长 在太阳能电池中，硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。随着全球太阳能电池的广泛应用，太阳能电池硅材料需求增加。在太阳能电池重要原材料硅片市场，全球市场继续保持上升趋势，2004年达到4亿美元，2000～2004年复合增长率为6％。 (4)燃料电池发展潜力受关注，关键材料和工艺有待突破 燃料电池因具有能量密度高、无须充电、长时间使用、低噪声、低污染等特点，目前受到极大的重视。由美国发起建立的氢能经济国际合作组织（IPHE），经过巴西、加拿大、中国、日本、韩国、英国等国加盟之后，成为协调氢燃料研究及技术开发的国际机制。2003年全球有超过1000家企业及研究机构参与燃料电池材料、组件及系统技术研发。2004年全球燃料电池材料市场规模达到2亿美元。 在材料方面，催化剂、导电膜和双极板的供应、材质是影响未来燃料电池市场成长的因素。以质子交换膜材料为例，全球主要燃料电池开发国家均投入相当大的人力和物力研究开发质子交换膜，但大多局限在几种过去已知的质子交换膜材料种类上。由于现阶段这些质子交换膜特性无法完全满足实际应用的要求，目前技术的进展离大规模应用尚有一段距离。未来产品趋势(1)锂钴镍氧化物、纳米化碳材、有机电解液混合使用、薄型化隔离膜是未来锂电池材料的发展方向 在锂电池正极材料方面，可供选择的材料有钴酸锂(LiCoO2)、镍酸锂(LiNiO2)、锰酸锂(LiMnO4)及上述复合氧化物等，未来锂钴镍氧化物有可能取代目前锂钴氧化物的正极材料。 目前常用的负极材料是中间相碳微球，具有球状结构、堆积密度大、具有层状分子平行排列结构，是锂电池负极代表性材料，未来可能采用纳米化碳材(Nano-sized Carbon Materia1)。 电解液方面，近年来主要发展趋势是将多种不同性质的有机电解液加以混合使用，例如低黏度的二甲基乙烷(DME)、二甲基碳酸盐(DMC)及二甲基亚砜(DMSO)等。 隔离膜材料一般采用聚乙烯、聚丙烯或其它树脂多孔膜，技术趋势在于薄型化。 (2)硅太阳能电池暂居市场主导，薄膜太阳能电池成为未来市场主流 由于光电能转换效率较其它种类的太阳电池高，硅太阳能电池现在仍然是太阳能市场的主流。非晶硅太阳能电池长期使用时稳定性有问题；CdS/CdTe效率和非晶硅太阳能电池差不多，但有环保问题：另外CIS(Copper Indium Selenide)经济效益不高，短期内实现商品化有困难，化学太阳能电池使用期限及稳定性都有问题。由于薄膜太阳能电池具有低生产成本的特性，且具有适于大面积制造的优势，故长期而言，薄膜太阳能电池可能成为市场主流。 (3)燃料电池触媒材料：多孔结构、高效、高活性、高分散性 燃料电池的电极是燃料发生氧化反应与还原剂发生还原反应的电化学反应场所，其性能的好坏关键在于触媒的性能、电极的材料与电极的制造等。燃料电池触媒材料的多孔结构能提高燃料电池的实际工作电流密度与降低极化作用，增加参与反应的电极表面积。以DMFC触媒为例。现阶段DMFC触媒主要是采用贵金属基触媒，而贵金属基触媒的成本高、催化活性不理想。因此，高效、高活性、高分散性是燃料电池触媒材料的发展方向。